失效分析分类方法

时间：2020-04-24

失效分析分类
1 按功能分类 
　　由失效的定义可知,失效的判据是看规定的功能是否丧失。因此,失效的分类可以按功能进行分类。例如,按不同材料的规定功能可以用各种材料缺陷(包括成分、性能、组织、表面完整性、品种、规格等方面)来划分材料失效的类型。对机械产品可按照其相应规定功能来分类。 
2 按材料损伤机理分类 
　　根据机械失效过程中材料发生变化的物理、化学的本质机理不同和过程特征差异, 
3 按机械失效的时间特征分类 
　　(1)早期失效 可分为偶然早期失效和耗损期失效。 
　　(2)突发失效 可分为渐进(渐变)失效和间歇失效。 
4 按机械失效的后果分类 
　　(1)部分失效 
　　(2)完全失效 
　　(3)轻度失效 
　　(4)危险性(严重)失效 
　　(5)灾难性(致命)失效 
失效分析的分类
　　失效分析的分类一般按分析的目的不同可分为: 
　　(1) 狭义的失效分析 主要目的在于找出引起产品失效的直接原因。 
　　(2)广义的失效分析 不仅要找出引起产品失效的直接原因,而且要找出技术管理方面的薄弱环节。
　　(3)新品研制阶段的失效分析 对失效的研制品进行失效分析。 
　　(4)产品试用阶段的失效分析 对失效的试用品进行失效分析。 
　　(5)定型产品使用阶段的失效分析 对失效的定型产品进行失效分析。 
修理品使用阶段的失效分析 对失效的修理品进行失效分析。
芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等
失效分析实验室
赵工
座机010-82825511-728
手机13488683602
微信a360843328
邮箱zhaojh@kw.

失效分析
一、失效分析简述
失效分析是一门新兴发展中的学科，在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。 
二、开展失效分析的意义
失效分析对产品的生产和使用都具有重要的意义，失效可能发生在产品寿命周期的各个阶段，涉及产品的研发设计、来料检验、加工组装、测试筛选、客户端使用等各个环节，通过分析工艺废次品、早期失效、试验失效、中试失效以及现场失效的样品，确认失效模式、分析失效机理，明确失效原因，zui终给出预防对策，减少或避免失效的再次发生。 
三、失效分析流程：
（1）失效背景调查：产品失效现象？失效环境？失效阶段（设计调试、中试、早期失效、中期失效等等）？失效比例？失效历史数据？
（2）非破坏分析：X射线透视检查、超声扫描检查、电性能测试、形貌检查、局部成分分析等。
（3）破坏性分析：开封检查、剖面分析、探针测试、聚焦离子束分析、热性能测试、体成分测试、机械性能测试等。
（4）使用条件分析：结构分析、力学分析、热学分析、环境条件、约束条件等综合分析。
（5）模拟验证实验：根据分析所得失效机理设计模拟实验，对失效机理进行验证。
注：失效发生时的现场和样品务必进行细致保护，避免力、热、电等方面因素的二次伤害。

失效分析属于芯片反向工程开发范畴。龙人芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项失效分析服务的要求。
   公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段，*保证工程质量及项目文件的准确无误。

失效分析流程：
1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
3、进行电测。 
4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等

词条
词条说明
常用失效分析方法
芯片常用分析手段： 1、X-Ray 无损侦测，可用于检测 IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接开路、短路或不正常连接的缺陷封装中的锡球完整性 2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕ 晶元面脱层锡球、晶元或填胶中的裂缝封装材料内部的气孔各种孔洞
芯片的前世今生
庄子有言：“一日之锤日取其半，万世不竭”。这句话的意思是指一尺的东西今天取其一半，明天取其一半的一半，后天再取其一半的一半的一半，总有一半留下，所以永远也取不尽，这体现了物质是无限可分的思想。魏少军教授讲到，半导体和芯片的发展，恰好就是按照这样一半一半的往下缩小，而且缩小的过程到现在为止还没有停止。但是，缩小过程当中必须按照某种规则来进行，也就是要按照规矩，没有规矩，那就不能成方圆。这就印证了孟
失效分析样品准备
失效分析样品准备：失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。常见的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，FIB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因为失效分析设备昂贵，大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备，因此借用外力，使用对外开放的资源，来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备
微量元素含量测试方法
微量元素含量测试方法近年来，元素含量测试仪器发展十分*，常见的测试仪器有原子反射光谱法（AES）、原子吸收光谱法（AAS）、X射线荧光光谱法（XRF）、电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）和质谱（ICP-MS）等，由于各个仪器的技术方法存在局限性，如何对待测元素“量体裁衣”尤为重要。下面主要从元素含量测试仪器原理、适用范围两个方面作简要介绍。 1.原子发射光谱（AES）原子发射光谱