PCB失效分析方法 该方法主要分为三个部分,将三个部分的方法融汇贯通,不仅能帮助我们在实际案例分析过程中能够快速地解决失效问题,定位根因;还能根据我们建立的框架对新进工程师进行培训,方便各部门借阅学习。 下面就分析思路及方法进行讲解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步骤” 失效分析的过程主要分为5个步骤:“①收集不良板信息→②失效现象确认→③失效原因分析→④失效根因验证→⑤报告结论,改善建议”。其中,第①步主要是了解不良PCB板的失效内容、工艺流程、结构设计、生产状况、使用状况、储存状况等信息,为后续分析过程展开作准备;第②步是根据失效信息,确定失效位置,判断失效模式;第③步是针对失效模式展开分析,根据失效根因故障树来逐一排查根因,倘若在已有的故障树中还无法确认原因,则需要通过专题立项等方式研究这类失效问题,并将研究结论加入到原有故障树中,使故障树不断丰富完善,穷尽根因,形成反复迭代升级的有效循环模式;再通过第④步进行复现性实验,验证根因;zui终输出失效分析报告,对失效根因给出针对性的改善方案。 第二步:失效根因故障树建立 以化学沉镍金板金面可焊性不良为例,阐述建立失效分析故障树的方法: 针对PCB/PCBA的常见板级失效现象,我们通过建立各种失效模式的根因故障树,并在实战中持续积累、提炼、更新,从深度和广度上,迭代上升,从而形成相对较完善的分层起泡、可焊性不良、键合不良、导通不良和绝缘不良等高频失效模式的根因故障树分析流程,能够帮助大家在后续实战中,跟随故障树的失效分析流程,快速的定位失效根因,解决问题,事半功倍。 第三步:建立标准库 通过对故障树的各项根因进行验证,从而形成标准库文件。根因判定标准库的来源主要有几个方面:①IPC、GJB、行业标准等文件;②正常产品与异常产品对比库;③研发项目经验、生产经验文件库等。同时,对故障树中每个失效根因涉及到的评判方法和评判标准进行总结归类,将PCB常见的标准和各类异常数据汇总整理,形成PCB失效分析标准库,供后续案例开展进行参照。 尼采说:打从半高处看,这个世界zui美好。而我认为,“会当凌绝**”才不辜负公司**及同事对分析测试实验中心的支持与寄望。不积跬步无以至千里!未来,分析测试实验中心仍旧不忘初心、砥砺前行,与公司共创辉煌。 芯片开封实验室介绍,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等
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芯片开封机分用化学腐蚀和激光开封两种,区别是激光开封比较简单,而且开封铜线邦定的效果好 开封指去除ic封胶,同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备。也称为开盖,开帽,去封范围:普通封装COB、BGA 陶瓷、金属等其它特殊封装。 芯片IC半导体元器件开封机decap酸开封机自动开封机激
宽禁带半导体材料SiC和GaN 的研究现状 **代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20 世纪电子工业的基础。*二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世纪信息光电产业的基础。*三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(
2019年**半导体市场陷入萎缩,而中国可圈可点 经常会有人问半导体产业是什么样的一种产业?魏少军教授用奥地利经济学家约瑟夫·熊彼得的一句话来引出,那就是“创新不是一个技术概念,而是一个经济概念”。半导体或者芯片产业,恰恰是一个创新驱动的产业,它的发明较终变成了钱,它是靠创新的方式来发展。所以它是个创新驱动的产业。 了解了半导体产业的形式之后,再来看下半导体产业的发展情况。以史为鉴,从1987年到
失效分析技术,失效分析实验室,失效机制是导致零件、元器件和材料失效的物理或化学过程。此过程的诱发因素有内部的和外部的。在研究失效机制时,通常先从外部诱发因素和失效表现形式入手,进而再研究较隐蔽的内在因素。在研究批量性失效规律时,常用数理统计方法,构成表示失效机制、失效方式或失效部位与失效频度、失效百分比或失效经济损失之间关系的排列图或帕雷托图,以找出必须首先解决的主要失效机制、方位和部位。任一产品
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