芯片开封技术介绍decap

时间：2020-05-07

开封, 即开盖/开帽, 指去除ic封胶, 同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备.
去封范围：* 普通封装* COB、BGA * 陶瓷、金属等其它特殊封装
芯片开封机介绍：
美国RKD生产的RKD 酸开封机是一台自动混酸开封机，通过整合了***的特点使得它可以获得更高的产能。新开封机的设计通过将硝酸、***或混酸***分配到器件上，可以更加快速和*的打开zui精细的封装，而不会损伤样品。
RKD Elite Etch 酸开封机内包含了众多工程创新。整体式刻蚀头组件是由高等级的碳化硅加工而成，可以非常***的用来抵抗酸腐蚀。再加上主动氮气监测和清洗系统，这一整体设计可以在刻蚀后降低残留在刻蚀头上酸的发烟—而对于其它没如此复杂的设计则是一种常见现象。我们这种整体碳化硅选够缩短加热时间。
器件压制组件（压杆芯头）是由手动***的，设计用于大量的运动。压杆芯头正常情况是缩回的，并且仅当安全盖完全关闭后才伸出。压杆芯头的垂直移动保证器件稳定在刻蚀头上，从而消除了无论是器件还是夹具的移动。
在每次开始和结束刻蚀程序后，安全盖由手动关闭和打开。关闭安全盖，开始已经编制好的刻蚀步骤的程序，打开安全盖将停止所有刻蚀步骤。所有连接到刻蚀盘的酸管路由快速对称压力节点制成，以消除麻烦的高温密封问题。
**型系统配置
掌上型键盘 操作简单不仅仅体现在RKD的软件设计上，即软件会持续检查和保护系统防止操作失误，而且体现在简单而直观的手持式键盘上。只需要简单的培训，凡是能够使用手机的任何人员都可以操作运行Elite Etch开封机。
通风橱的空间永远都是非常珍贵的，所以我们已经设计了行业中***的占地面积，同时增强了每一个可能的安全特性。单独的热交换器的引入可以将废酸温度降低到90摄氏度以下，这允许进一步减小系统尺寸---我们仅仅使用一个废酸瓶。
预见未来 软件消除了废酸瓶溢流的***，可以防止Elite Etch在废酸瓶没有足够的空间来完成编辑好的刻蚀程序时停止继续操作。
RKD Engineering是***的集成了真正的双控制用于所有液体在瓶容器和开封机之间进行耦合的公司。内部连接是在特氟龙密封的管路内运行的，它可以由瓶子盒的任何一端来供给。瓶子容器装置内包含了液体传感器，当酸从任何一个瓶子中***后都会给操作员发出警告。Elite Etch开封机即能够使用500ml美标瓶子，也可以使用日本标准的瓶子。
夹具和附件
RKD 酸开封机能够使用所有由B&G Internationa(现在是Nisene Technology Group)提供的附件包、垫片和对准板。然而，为了显着降低成本，并且永远具有设计和切割适用于每一个和每一只器件类型的垫片和对准板的能力和优势，我们建议使用 RKD Engineering的μMill. 这台Mil的操作非常简单，不需要机械工人的***知识，就能够快速的使用防酸的AFLAS聚合物材料加工完成高质量各种垫片。
系统安全
对于操作员来说，在任何开封机上更换酸瓶都具有一定的风险。我们已经设计装配了一个通用旋转铰链使得更换瓶子时没有任何麻烦。这一通用旋转铰链的详细结构显示如下。另外，瓶子通气系统可以防止酸气进入瓶子盒内。
芯片开封及系统规格参数：
基本规格尺寸          (w x d x h)    
开封机                7.5 x 12.5 x 12 inch  190 x 318 x 305 mm              
瓶子组件              10 x 5 x 11 inch   254 x 127 x 279 mm
重量                  大约. 35 lbs.(16 Kg)
气体压力              55 - 70 psi. (N2) or CDA
电源                  90 - 250 VAC
酸温度范围            20℃- 250℃
酸温度设定值          1.0℃- 0.1℃
刻蚀腔(可高达)        22 x 22 mm
软件操作规格
芯片开封机酸的选择 ：
发烟***/***/混酸
注意: 所有混合比例都是在泵系统内部动态准备的。
混酸比例 (硝酸到***比例)：    9:1, 5:1, 4:1, 3:1, 2:1, 1:1
刻蚀后冲洗选择：发烟***/***/混酸/无冲洗
注意: 酸的冲洗温度设定是根据刻蚀温度自动校准的。
刻蚀时间： 1 - 1,800 seconds ( 1秒的增加幅度)
注意: 刻蚀时间能够在刻蚀期间动态调整。 
刻蚀形式 -              
(i) 脉冲刻蚀
(ii) 往复刻蚀 – 酸脉动
刻蚀温度范围 
20℃- 90℃ (硝酸)
20 - 250℃(***)
芯片开封实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等

词条
词条说明
芯片失效分析
一般来说，集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免，随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。失效分析的意义主要表现？具体来说，失效分析的意义主要表现在以下几个方面：失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分
晶柱成长制程
《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。长晶主要程序︰融化（MeltDown）此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制**摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中较重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来
Decap芯片内开封类型原理及应用
Decap开封类型原理及应用仪准 AA探针台转载请写明出处Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做*局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。去封范围：普通封装 COB
x-ray检测内容
X射线(X-ray)检测 X射线(X-ray)检测仪是在不损坏被检物品的前提下使用低能量X 光，快速检测出被检物。利用高电压撞击靶材产生X射线穿透来检测电子元器件、半导体封装产品内部结构构造品质、以及SMT各类型焊点焊接质量等[1] 。型号:XD7500NT 参考标准:《IPC-A-610E电子组装件的验收标准》、《GB/T 17359-1998电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析方法通则》