半导体IC制造流程

    《半导体IC制造流程》   
    一、晶圆处理制程  
       晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件(如晶体管、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术较复杂且资金投入较多的过程 ,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘量(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗(Cleaning)之后,接着进行氧化(Oxidation)及沈积,最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。  
     
    二、晶圆针测制程  
       经过Wafer Fab之制程后,晶圆上即形成一格格的小格 ,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的芯片,但是也有可能在同一片晶圆 上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过芯片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性, 而不合格的的晶粒将会被标上记号(Ink Dot),此程序即 称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。然后晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒,接着晶粒将依其电气特性分类(Sort)并分入不同的仓(Die Bank),而不合格的晶粒将于下一个制程中丢弃。  
     
    三、IC构装制程  
       IC构装制程(Packaging)则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会 向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。  
     
    四、测试制程  
     
       半导体制造最后一个制程为测试,测试制程可分成初步测试与较终测试,其主要目的除了为保证顾客所要的货无缺点外,也将依规格划分IC的等级。在 初步测试阶段,包装后的晶粒将会被置于各种环境下测试其电气特性,例如消耗功率、速度、电压容忍度...等。测试后的IC将会将会依其电气特性划分 等级而置入不同的Bin中(此过程称之为Bin Splits),最后因应顾客之需求规格 ,于相对应的Bin中取出部份IC做特殊的测试及烧机(Burn-In),此即为较终测试。较终测试的成品将被贴上规格卷标(Brand)并加以包装而后交与顾客。未 通过的测试的产品将被降级(Downgrading)或丢弃。 

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