GBL806/GBL808/GBL810_氮化镓快充整流桥-L 型号:GBL810 品牌:ASEMI 封装:GBL-4 特性:内置GPP芯片 正向电流:6A 反向耐压:50V-1000V 芯片个数:4 漏电流:>10ua 工作温度:-50℃~150℃ 包装方式:500/盒;5K/箱 适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 ASEMI品牌GBL606,系列产品GBL608、GBL610,供应GBL604,波峰GPP芯片,可靠稳定性高,产品离散性高度一致。 本产品原装正品,质量保证高稳定性和可靠性,欢迎咨询 取样测试。 相比传统充电器,它有哪些优势? 充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。 散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性较小化。
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36MB160A/36MB120A_ASEMI单相整流方桥?
编辑-LL 36MB160A/36MB120A_ASEMI单相整流方桥 型号:36MB160A 品牌:ASEMI 封装:D-34 电性参数:36A 1600V 单相整流方桥36MB160A,ASEMI品牌原装现。参数规格:电流:36A;电压:1600V;盒装:20PCS/盒。适用于工业中大部分的三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器,通用电磁炉,等大型机电设备。 每一个的36MB160A
编辑-LL 26MT120-ASEMI大功率三相整流桥 型号:26MT120 品牌:ASEMI 封装:D-63 电性参数:26A 1200V 正向电流:26A 反向耐压:1200V 芯片材质:GPP 特性:三相整流方桥 ASEMI品牌26MT120单相整流方桥桥参数规格:电流:26A;电压:1200V;盒装:20PCS/盒。应用于工业中大部分的三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器,通用电
?GBL806/?GBL808/?GBL810_?氮化镓快充整流桥
GBL806/GBL808/GBL810_氮化镓快充整流桥-L 型号:GBL810 品牌:ASEMI 封装:GBL-4 特性:内置GPP芯片 正向电流:6A 反向耐压:50V-1000V 芯片个数:4 漏电流:>10ua 工作温度:-50℃~150℃ 包装方式:500/盒;5K/箱 适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 ASEMI品牌GBL606,系列产品
编辑-LL D50XB80/D50XB100_ASEMI单相整流方桥 型号:D50XB80 品牌:ASEMI 封装:DXB-4 电性参数:50A 800V 正向电流:50A 反向耐压:800V 正向耐压:1.1V 芯片材质:GPP 芯片个数:4 特性:单相整流扁桥 扩展资料 大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。 主
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