雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。标准二极管模块
特点:*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688应用:
*直流电流设备*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源*直流电机接地电源
*直流电源电池词条
词条说明
在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别进口晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门较G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。 晶闸管的工作条件: 1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门较承受和种电压,晶闸管都处于关短状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在
1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制较G三个引出脚。双向可控硅有阳极A1(T1),*二阳极A2(T2)、控制较G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制较G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴
可控硅模块是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制较G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基较相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集
可控硅模块特点1、整流结构先进采用先进出口变压器结构设计大大提高了整流效率节约了能源并使整机体积、重量大为减小,可靠性大为提高。2、控制特性良好采用的控制电路与国际主流可控硅控制电路可完全互换,该控制电路它具有自动稳压/稳流、自动电流密度、0-180秒任意调节软启动等良好控制功能,并可通过接口实现计算机控制,是目前先进的可控硅控制系统。工作稳定、抗干扰能力强、稳流/稳压精度高、使用寿命长。3、工作
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