随着iPhone12的正式开售，不再标配耳机和充电器，没有标配的充电器，对于充电器厂商来说，这也是一个商机，iPhone 12发布之后，各大平台充电器的需求暴涨，国内的充电器厂商出现供不应求，骊微电子顺势推出基于PN8162+PN8307H**精简小体积PD 20W快充方案！
PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了较为全面和性能优异的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、较小导通时间等功能。
PD 20W快充方案亮点
★ 原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307Ｈ均实现功率集成，得益于**智能 MOS 技术，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；
★ PN8162 采用 PDFN **功率封装，相比传统 SOP8，封装热阻从 80℃/W 降低至 15℃/W，显着提高充电器功率密度；单边 drain 脚位，高低压引脚爬电距离大于 1.2mm，安全可靠；
★ PN8162 采用负载自适应谷底开通技术，彻底解决小体积充电器开关干扰源至 LN 线位移电流带来的传导难题，EMC 裕量大于 6dB；
★ PN8162 工作强制 DCM 模式，从而保证较糟工况下 SR 尖峰电压可控制在 51V 以内，60V 耐压的 PN8307即可保证电压 de-rating 裕量充足，进而降低整体方案成本；
★ PN8162 内置输入欠压保护，通过 DMG 监控市电，防止市低压工作导致电源异常；
★ PN8162 9-38V VDD 供电、PN8307 3-24V VCC 供电，在 3-12V 输出电压范围内*外部 LDO；
★ PN8162 内置线电压补偿，根据市电自动调整内部峰值电流参考，全电压范围 OCP 精度在 10%以内；
★ HUSB339B 协议支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
20W PD快充方案采用了高集成的芯片PN8162+PN8307H，支持12V1.67A;9V2.22A;5V3A 输出，内置了mos电源芯片及快充芯片，方案体积十分小巧，较大限度的减少了芯片外围器件的数量，降低PCB板的占用面积，高密度20W PD快充方案，竞争力优势明显，更多PD 20W快充方案原理图，电源输入输出规格，BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料，可向骊微电子申请。>>
