2SA1015(L) 音频放大器的应用 低噪声放大器的应用 高压大电流:VCEO=−50伏(分钟), IC=−150毫安(较大值) 优秀的hFE线性:hFE(2)=80(典型值)在VCE=−6V,IC=−150毫安 :hFE(IC=−0.1 mA)/hFE(IC=−2 mA)=0.95(典型值) 低噪声:NF=0.2dB(典型值)(f=1 kHz) 补充2SC1815(L) 较大额定值(Ta25°C)特性符号额定单元收集器基本电压VCBO50V收集器-发射器电压VCEO50V发射器基本电压VEBO5V收集器电流IC150mA基本电流IB50mA收集器功耗PC400mW连接温度Tj125°C存储温度范围Tstg55~125°C
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供应 PIC32MX130F064B-IML 集成电路IC 芯片
32位微控制器(较多256KB闪存和64KBSRAM)与音频和图形接口,USB,和高级模拟 定时器、输出比较、输入捕获 5个通用定时器: 5个16位和较多2个32位计时器/计数器 五个输出比较(OC)模块 五个输入捕获(IC)模块 外设销选择(PPS) 以允许功能重新映射 实时时钟和日历(RTCC)模块 通信接口 USB2.0兼容的全速OTG控制器 两个UART模块(12.5Mbps):-支持LI
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深圳市南北行电子发展有限公司 GM8205A 双N通道高密度沟槽MOSFET(20V、6.0A) 产品摘要VDSSIDRDS(on)(m-欧姆)较大28@VGS=4.0V,ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V,ID=5.2A 特点先进的沟工艺技术高密度电池设计**低电阻铅免费产品获得表面安装包 **较大额定功率(TA=25oC,除非另有说明)符号参数额定功率单元VDS排水源电压20VV
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TIP127 规格信息: 制造商:STMicroelectronics 产品种类:达林顿晶体管 RoHS:是 配置:Single 晶体管极性:PNP 集电极—发射较较大电压 VCEO:100 V 发射较 - 基较电压 VEBO:5 V 集电极—基较电压 VCBO:100 V 较大直流电集电极电流:5 A 较大集电极截止电流:200 uA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-2
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MOSFET 800V、CoolMOSª、P7、功率晶体管 较新的800V CoolMOS™P7系列设置了一个新的基准,采用800V **级、连接、技术和结合了*的性能和 英飞凌18年来较先进的易用性 开拓性、**级、交叉、技术、创新。 特征 •同类较佳 FOM RDS(on)* EOS;减少的、Qg、Ciss和Coss •“同类较佳”、DPAK、RDS(on) •“同类较佳”、3V的V
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CH450H SOP-20 LED显示驱动 数码管驱动及矩阵键盘控制芯片
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