SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存储器全新原装

时间：2021-08-20

SST39VF640xB设备是4Mx16CMOS多功能闪存+(MPF+)，采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash技术制造。与替代方法相比，裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V电源的640xB写入（程序或擦除）。这些设备符合对x16存储器的JEDEC标准针脚分配。
SST39VF640xB设备具有高性能的字程序，提供了典型的字程序时间为7µsec。这些设备使用切换位或数据#轮询来指示程序操作的完成。为了防止无意中写入，他们有片上硬件和软件数据保护方案。这些设备的设计、制造和测试适用于广泛的应用，可保证100,000个周期。数据保留时间**过*。
SST39VF640xB设备适用于需要方便和经济地更新程序、配置或数据内存的应用程序。对于所有的系统应用程序，它们显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。与其他闪光技术相比，它们在擦除和程序中使用更少的能量。总消耗的能量是施加的电压、电流和施加的时间的函数。由于对于任何给定的电压范围，**闪光技术使用更少的电流来编程，并有较短的擦除时间，在任何擦除或程序运行过程中消耗的总能量小于替代闪存技术。这些设备还提高了灵活性，同时降低了程序、数据和配置存储应用程序的成本。
**级闪存技术提供了固定的擦除和程序时间，与已经发生的擦除/程序周期的次数无关。因此，系统软件或硬件不必根据其他闪存技术进行修改或降级，其擦除和程序时间随着累积的擦除/程序周期而增加。
为了满足高密度、表面安装的要求，SST39VF640xB设备提供了48导联的TSOP和48球的TFBGA包。
特征：
•组织为4M x16
•单电压读写操作
–2.7-3.6V
•**的可靠性
–耐久性：100000次循环（典型）
–数据保留期**过*
•低功耗（5 MHz时的典型值）
–有效电流：9 mA（典型）
–待机电流：3µA（典型）
–自动低功率模式：3µA（典型）
•硬件块保护/WP#输入引脚
–**部挡块保护（**部32 KWord）
对于SST39VF6402B
–底部挡块保护（底部32 KWord）
对于SST39VF6401B
•扇区擦除功能
-统一2 KWord区
•块擦除功能
-统一32 KWord街区
•芯片擦除功能
•擦除挂起/擦除恢复功能
•硬件复位引脚（RST#）
•安全ID功能
–SST:128位；用户：128位
•快速读取访问时间：
–70纳秒
–90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和Word程序：
–扇区擦除时间：18毫秒（典型）
–块擦除时间：18毫秒（典型）
–芯片擦除时间：40毫秒（典型）
–字编程时间：7µs（典型）
•自动写入定时
–内部VPP生成
•写入结束检测
–切换位
–数据轮询
•CMOS I/O兼容性
•JEDEC标准
–闪存EEPROM引脚分配
–软件命令序列兼容性
-地址格式为11位，A10-A0
-块擦除*6总线写入周期为30小时
-扇区擦除*6总线写入周期为50小时
•提供的套餐
–48芯TSOP（12mm x 20mm）
–48球TFBGA（8mm x 10mm）
•所有非Pb（无铅）设备均符合RoHS标准

词条
词条说明
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描述 NS2009是一个4线电阻式触摸屏控制器，包括12位分辨率的a/D转换器。NS通过两个A/D转换实现的2009已通过屏幕的位置确定，以及可测量的触摸屏上的压力增加。2.7V典型工作状态下，参考电压闭合，功耗可小于0.75mW。特性确认条件：VS=+2.5V~+5.5V、TA=-40~+85、VDD=+2.7V、12℃℃位标准模式（100K）或快速模式（400K）、数字输入接地或VDD。
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