SST39VF640xB设备是4Mx16CMOS多功能闪存+(MPF+),采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash技术制造。与替代方法相比,裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V电源的640xB写入(程序或擦除)。这些设备符合对x16存储器的JEDEC标准针脚分配。 SST39VF640xB设备具有高性能的字程序,提供了典型的字程序时间为7µsec。这些设备使用切换位或数据#轮询来指示程序操作的完成。为了防止无意中写入,他们有片上硬件和软件数据保护方案。这些设备的设计、制造和测试适用于广泛的应用,可保证100,000个周期。数据保留时间**过*。 SST39VF640xB设备适用于需要方便和经济地更新程序、配置或数据内存的应用程序。对于所有的系统应用程序,它们显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。与其他闪光技术相比,它们在擦除和程序中使用更少的能量。总消耗的能量是施加的电压、电流和施加的时间的函数。由于对于任何给定的电压范围,**闪光技术使用更少的电流来编程,并有较短的擦除时间,在任何擦除或程序运行过程中消耗的总能量小于替代闪存技术。这些设备还提高了灵活性,同时降低了程序、数据和配置存储应用程序的成本。 **级闪存技术提供了固定的擦除和程序时间,与已经发生的擦除/程序周期的次数无关。因此,系统软件或硬件不必根据其他闪存技术进行修改或降级,其擦除和程序时间随着累积的擦除/程序周期而增加。 为了满足高密度、表面安装的要求,SST39VF640xB设备提供了48导联的TSOP和48球的TFBGA包。 特征: •组织为4M x16 •单电压读写操作 –2.7-3.6V •**的可靠性 –耐久性:100000次循环(典型) –数据保留期**过* •低功耗(5 MHz时的典型值) –有效电流:9 mA(典型) –待机电流:3µA(典型) –自动低功率模式:3µA(典型) •硬件块保护/WP#输入引脚 –**部挡块保护(**部32 KWord) 对于SST39VF6402B –底部挡块保护(底部32 KWord) 对于SST39VF6401B •扇区擦除功能 -统一2 KWord区 •块擦除功能 -统一32 KWord街区 •芯片擦除功能 •擦除挂起/擦除恢复功能 •硬件复位引脚(RST#) •安全ID功能 –SST:128位;用户:128位 •快速读取访问时间: –70纳秒 –90纳秒 •锁存地址和数据 •快速擦除和Word程序: –扇区擦除时间:18毫秒(典型) –块擦除时间:18毫秒(典型) –芯片擦除时间:40毫秒(典型) –字编程时间:7µs(典型) •自动写入定时 –内部VPP生成 •写入结束检测 –切换位 –数据轮询 •CMOS I/O兼容性 •JEDEC标准 –闪存EEPROM引脚分配 –软件命令序列兼容性 -地址格式为11位,A10-A0 -块擦除*6总线写入周期为30小时 -扇区擦除*6总线写入周期为50小时 •提供的套餐 –48芯TSOP(12mm x 20mm) –48球TFBGA(8mm x 10mm) •所有非Pb(无铅)设备均符合RoHS标准
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词条说明
供应 全新原装 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 内存 闪存芯片
EM6AA160 SDRAM是一种高速CMOS双数据速率同步DRAM,包含256Mbit。 它在内部配置为一个4米x 16的DRAM,带有一个同步接口(所有信号都记录在时钟信号CK的正边缘)。 数据输出发生在CK和CK的上升沿。对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始,然后按编程顺序继续访问编程的多个位置。 访问首先注册BankActivate命令,然后是读或写命令。EM6AA16
产品详情 工作电压:3V ~ 3.6V CPU位数:16-Bit CPU内核:C2xx DSP 主频(MAX):40MHz ROM类型:FLASH 芯片 DSP 16位 带闪存 系列: TMS320 频率: 40MHz 针脚数: 100 工作温度小值: -40°C 工作温度高值: 125°C MSL: MSL 2 - 1年 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) D
供应 DRV8837DSGR WSON-8 电机驱动器 全新原装
说明 DRV883x 为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。 此器件能够驱动一个直流电机或其他诸如螺线管的器件。 输出驱动器块由一个配置为 H桥的 N 通道功率 MOSFET 组成,以驱动电机绕组。一个内部电荷泵生成所需的栅较驱动电压。 DRV883x 能够提供高达 1.8A 的输出电流。 它运行在0 至 11V 之间的电机电源电压,
供应全新原装正品 PIC32MX130F064B-IML 集成电路IC 芯片
操作条件 •2.3V至3.6V,-40ºC至+105ºC,直流至40 MHz •2.3V至3.6V,-40ºC至+85ºC,直流至50 MHz 核心:50 MHz/83 DMIPS MIPS32®M4K® •MIPS16e®模式,较大可减少40%的代码大小 •代码高效(C和汇编)体系结构 •单循环(MAC)32x16和双循环32x32乘法 时钟管理 •0.9%内部振荡器 •可编程PLL和振荡器时钟
公司名: 深圳市南北行电子发展有限公司
联系人: 周斯琪
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全新原装 ISL8014AIRZ QFN16 开关稳压器
NS2009 贴片MSOP10 音频功放芯片
CH450H SOP-20 LED显示驱动 数码管驱动及矩阵键盘控制芯片
LP5562TMX/NOPB 丝印D5 封装DSBGA12 LED驱动器芯片 全新原装
原装正品 LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC电源
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原装正品 MT40A512M8RH 封装FBGA-78 储存器芯片IC
REF195FSZ-REEL 丝印REF195F 封装 SOIC-8 电压基准芯片 原装正品
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