原装正品STM32F103C8T6 103CBT6 GD32F103C8T6 封装LQFP48 单片机

时间：2021-08-20

描述
STM32F103xx中密度性能系列包含高性能ARM®皮质®-M3 32位RISC内核以72 MHz频率工作，高速嵌入式内存（闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：较多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。这些设备在2.0至3.6 V电源下工作。它们在–40到+85之间都可用°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许低功耗应用的设计。
STM32F103xx中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件：36针到100针。根据选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了此系列中建议的所有外围设备。
这些特性使STM32F103xx中密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机、，和HVAC。
所有功能
手臂®32位皮质®-M3 CPU内核
72 MHz较大频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）在0等待状态内存访问时的性能
单循环乘法和硬件除法
回忆
64或128 KB闪存
20KB的SRAM
时钟、复位和电源管理
2.0至3.6 V应用电源和I/O
POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）
4～16mhz晶体振荡器
内部8 MHz工厂微调RC
内部40 kHz RC
CPU时钟锁相环
带校准的32 kHz RTC振荡器
低功率
睡眠、停止和待机模式
RTC和备份寄存器的VBAT电源
2 x 12位，1μs A/D转换器（较多16个通道）
转换范围：0至3.6 V
双采样保持能力
温度传感器
DMA系统
7通道DMA控制器
支持的外设：定时器、ADC、SPI、I2Cs和USART
多达80个快速I/O端口
26/37/51/80 I/O，所有可映射到16个外部中断向量和几乎所有5个V容限
调试模式
串行线调试（SWD）和JTAG接口
7个计时器
三个16位定时器，每个定时器较多有4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入
16位，电机控制PWM定时器，带死区时间生成和紧急停止
2个看门狗定时器（独立和窗口）
SysTick定时器24位下行计数器
较多9个通信接口
较多2个I2C接口（SMBus/PMBus）
较多3个USART（ISO 7816接口、LIN、IrDA功能、调制解调器控制）
较多2个SPI（18 Mbit/s）
CAN接口（2.0B激活）
USB 2.0全速接口
CRC计算单元，96位一ID
包装为ECOPACK®

词条
词条说明
供应全新原装microchip芯片 PIC32MX330F064H-I/PT集成IC嵌入式单片机
32位微控制器(高达512KB闪存和128KBSRAM)与音频/图形/触摸(HMI)，USB，和高级模拟工作条件：2.3V至3.6V •-40ºC至+105ºC（直流电至80MHz） •-40ºC至+85ºC（直流电至100MHz） 0ºC至+70ºC（直流电至120MHz）核心:120 MHz/150 DMIPS32®M4K® MIPS16e®模式可小40% 编码高效的（C和装配）架构单周
供应UP1542SSU8 MOS电源管理芯片贴片SOP-8 全新原装
uP1542是一种紧凑的同步整流压力控制器，专门设计从5V或12V电源电压工作，并为UP1542SSU8提供低至0.6V(线性OCP)。 uP1542采用恒频、电压模式控制方案，易于使用、外部组件计数低、瞬态响应快。固定的300kHz操作提供了一个较佳的集成水平，以减少电源的大小和成本。该控制器集成了内部1个MOSFET驱动器，支持12V+12V引导电压，用于高效功率转换。内置引导二极管，以简化
ADV7842KBCZ-5P BGA-256封装双通道HDMI快速切换接收器
ADV7842是一个高质量，单片，2：1多路HDMI™接收器和图形数字化器与一个集成的多格式视频解码器。 ADV7842包含一个双输入HDMI1.4兼容的接收器，支持高达1080p的所有高清电视格式，显示分辨率高达UXGA(60Hz的1600×1200)。 ADV7842集成了压缩查看™快速切换两个输入HDMI端口。使用模拟设备公司，基于硬件的HDCP引擎，尽量减少软件开销，XPressview技
供应全新原装进口FDMT80080DC 晶体管IC芯片贴片VDFN8
FDMT80080DC N沟道双CoolTM 88 PowerTrench®MOSFET 80伏254安1.35兆欧特征在VGS=10 V，ID=36 A时，较大rDS（on）=1.35 mΩ 在VGS=8 V，ID=31 A时，较大rDS（on）=1.82 mΩ 用于低rDS的高级封装和硅组合（on）高效下一代增强型车身二极管技术，专为软恢复而设计薄型8x8mm MLP组件 MS