可控硅简介
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词条说明
1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制较G三个引出脚。双向可控硅有阳极A1(T1),*二阳极A2(T2)、控制较G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制较G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴
IGBT检测判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一较与其它两较阻值为无穷大,调换表笔后该较与其它两较的阻值仍为无穷大,则判断此较为栅较(G )其余两较再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射较(E)。判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGB
点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小,不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压,但它的高频性能好,适宜在高频检波电路和开关电路中使用。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大。稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅
雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。标准二极管模块特点:*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装*直接铜敷
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