【德国西门康可控硅】可控硅分类

时间：2021-09-13

作者：上海秦邦电子科技有限公司

可控硅分类

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门较关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二较可控硅、三较可控硅和四较可控硅。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

15995613456

词条
词条说明
【英飞凌IGBT模块】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然较新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高
整流桥模块
整流桥是桥式整流电路的实物产品，那么实物产品该如何接线到实际电路中呢？一般来讲整流桥4个脚位都会有明显的极性说明，工程设计接线图的时候已经将安装方式固定下来了，那么在实际应用过程中只需要，对应线路板的安装孔就好了。整流桥连接方法主要分两种，一个是实物产品与电路图的对应方式。左侧为桥式整流电路内部结构图，B3作为整流正极输出，C4作为整流负极输出，A1与A2共同作为交流输入端。整流桥实物产品图样式，
【德国西门康可控硅】可控硅特性
可控硅特性常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数有：1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF 在控制较开路未加触发信号，阳极正向电压还未**过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能**
SKiiP智能Mini迷你IGBT模块设计特点？
MiniSKiiP产品的设计特点是在负载和门较端子中使用易于装配且便于维护的弹簧连接。相较于需要昂贵的焊接设备、焊接过程费时的传统焊接模块，MiniSKiiP组装*任何特殊工具，仅使用一到两个螺丝连接，一步便可组装好印刷电路板（PCB）、功率模块和散热片。图1：MiniSKiiP装配示意图图2：MiniSKiiP系列封装MiniSKiiP可以提供电机驱动应用的所有拓扑，如CIB(变流器-逆变器-