二极管结构组成
词条
词条说明
IGBT简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双较型晶体管,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上
(1)插入式熔断器它常用于380V及以下电压等级的线路末端,作为配电支线或电气设备的短路保护用。 (2)螺旋式熔断器熔体上的上端盖有一熔断指示器,一旦熔体熔断,指示器马上弹出,可透过瓷帽上的玻璃孔观察到,它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大,可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中,作短路保护。 (3)封闭式熔断器封闭式熔断器分有填料熔断器
熔断器俗称保险丝或保险管。早的保险丝于一百多年前由爱迪生发明,由于当时的工业技术不发达白炽灯很贵重,所以,初是将它用保险丝来保护价格昂贵的白炽灯的。熔断器保护电子设备不受过电流的伤害,也可避免电子设备因内部故障所引起的严重伤害。因此,每个熔断器上皆有额定规格,当电流**过额定规格时保险丝将会熔断。当介于常规不熔断电流与相关标准规定的额定分断能力(的电流)之间的电流作用于熔断器时,熔断器应能满意地工作
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电
公司名: 上海秦邦电子科技有限公司
联系人: 林女士
电 话: 0512-36886603
手 机: 15995613456
微 信: 15995613456
地 址: 上海奉贤上海市奉贤区奉浦工业区奉浦大道111号7楼3247室
邮 编:
网 址: holny.cn.b2b168.com
公司名: 上海秦邦电子科技有限公司
联系人: 林女士
手 机: 15995613456
电 话: 0512-36886603
地 址: 上海奉贤上海市奉贤区奉浦工业区奉浦大道111号7楼3247室
邮 编:
网 址: holny.cn.b2b168.com