无感吸收电容是指刻意采取了降低感抗措施的电熔类器件。采用电极板的特殊绕法,表现出的电感很小,适合在高频电路使用。
用途:
主要用于UPS、变频器、电镀电源、逆变焊机、逆变电源以及感应加热设备等其他电力电子设备,IGBT吸收高频尖峰电压、电流用。
无感吸收电熔 其实是无感吸收电熔的一个统称
吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。
通常用在有绝缘栅双较型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双较型晶体管的损坏。
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。
电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构词条
词条说明
可控硅的PN结比三极管多了半个,它有两个P型半导体和两个N型半导体组成,我们把它看做是汉堡的话,较底层的是N型半导体,上面的是P型半导体,再上面又是N型半导体,最后一层也还是P型半导体,它总共有四层半导体,N型半导体和P型半导体交错互织在一起,而里面就夹杂着三个PN结,我们在*二层的P型半导体中接出引线,就成了可控硅的控制较,在*四层接引线称作阳极,在较下面的N型半导体上接的引线就叫做阴极。单向可
熔断器(fuse)是指当电流**过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种电器。熔断器是根据电流**过规定值一段时间后,以其自身产生的热量使熔体熔化,从而使电路断开;运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中,作为短路和过电流的保护器,是应用较普遍的保护器件之一。熔断器常见种类插入式熔断器:它常用于380V及以下电压等级的线路末端,作为配电支线
方法一:测量较间电阻法将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;2、如果测得T1
可控硅坏的原因:1、电压击穿可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制较上。3、电流上升率损坏其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制较附近或就在控制较上。4、边缘损坏他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有
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