LUMENTUM芯片PA009211

    LUMENTUM芯片PA009211

    产品型号:PA009211

    产品介绍

     

    Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件,设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点,通过*有源区的**部照明接收光信号。

    P(阳极)和 N(阴极)触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米,适用于引线键合。

    APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。

    性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。

    <1FIT 的可靠性源自**过 400 亿个现场小时。

    Telcordia ESD 等级:min. 500 V型号。

     

    性能特点

     

    400 x 400 x 80 微米尺寸

    **部照明 30 μm 孔径

    高带宽

    响应能力好

    0.2 pF 电容

    **部引线焊盘

    针对环氧树脂附着进行了优化

    -40 至 +85°C 操作

    高达 11.3 Gbps 的性能

    非常高的可靠性

    大批量生产

    强大的 ESD 性能

     

    技术参数

     

    击穿电压(在黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26-32 V

    暗电流(在黑暗中,Vbr * 0.9) Id9:50 毫安

    3dB 带宽,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 6.0 GHz

    3dB 带宽,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM36.0 GHz

    响应度 10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W

    在固定电压下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 时的电流比

    R1610/R15500.75

    1300 nm 与 1550 nm 的响应率比(在固定电压下(VM3 和 VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 时的电流比)R1300/R15500.70

    Vbr 温度系数(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 0.061 Vdeg-1

    总电容(At Vbr * 0.9)C:0.220.25 pF

    光过载(M3)Povld:-2 dBm

     

    产品应用

     

    长途网络

    单模数据通信和电信

    10G PON


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