YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET,该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点,广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。
某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道场效应管来控制TEC,该工程师想要了解一些国产厂牌的MOS,因此国芯思辰给其介绍了优晶的N沟道场效应管YC40N04BDE。
YC40N04BDE具有以下特点:
1、采用沟槽型功率中压MOSFET技术,VDS耐压可以达到40V,ID可以达到40A,对于低压设计留有足够的余量。
2、采用高密度单元设计,RDS(on) 低至8mΩ(VGS=10V),较低的导通电阻,可以减少开关损耗。
3、工作温度在-55℃-150℃之间,有较强的环境温度适应性,可以适用于低温或者高温的环境。
4、采用DFN3*3封装,具有较强的散热能力。
封装示意图:
综上,YC40N04BDE在性能上都能满足TEC驱动的设计要求,非常适用于PCR仪的设计。
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