基本半导体650V混合式碳化硅分立器件应用于便携储能，效率提升0.2%-0.4%

时间：2023-03-02

在低碳新时代电力市场的需求下，便携式储能绿色无污染、大容量、大功率，在储能市场需求持续呈现上升趋势。

便携储能的增长趋势得益于户外运动的兴起和的影响，便携式储能电源可提供稳定交/直流电压输出的电源系统，且适配性广泛，其带电量通常为0.2-2kWh，同时具有更大的输出功率100-2200W，配有AC、DC、Type-C、USB、PD等多种接口，可以匹配市场上各类主流电子设备，为户外运动提供电力储能和户外应急电力需求。

随着便携储能电源应用领域不断增加，需要提升电源系统功率密度、使用更高的主开关频率。基本半导体推出了BGH75N65HF1混合碳化硅分立器件，包含650V与1200V，该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT，大幅降低了IGBT的开关损耗，特别适用于对功率密度提升有需求。然而改成混管后效率会提升多少，答案是0.2-0.4%，这是在客户的buck-boost中实战得到的数据。

BGH75N65HF1电器特征

便携储能的架构是无桥图腾柱，现在用的是普通IGBT；对于600W-3.6kW的便携式储能，IGBT该做成双向的还是做成单向，然后外挂adaptor，然而后者渐渐被淘汰了，因为现在人们需要快充，且外挂adator的成本也不低。双向IGBT核心是以平面栅型IGBT为基础，通过对新器件采取对称机构和两路输入控制的方法，从而达到对新器件双向控制的目的。双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器较为有效的方法，在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比。

当前，便携式电源的发展方向是双向充放电，使用无桥图腾柱拓扑非常典型，因为要双向IGBT，混合式IGBT将会成为一个技术趋势。

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