温补晶振特征是什么呢?因为不同领域的电子产品对石英晶体振荡器的需求是不同的,而温度补偿晶体振荡器是为了补偿普通晶体振荡器在高温下的不稳定因素而发展起来的,但是,温度补偿晶体振荡器有很多种,每一种温度补偿晶体振荡器都有自己的特点。
温度补偿晶体振荡器由恒温槽控制电路和振荡电路组成。温度控制通常由热敏电阻“桥”组成的差分串联放大器来实现。晶体谐振器与振荡器电路集成在一起,没有温度补偿和温度控制,这些都是这些方面的特点。
晶体振荡器是一种在晶体谐振器中串联插入变容二级管的晶体振荡器,二级管的容量根据外部电压变化,从而可以根据晶体谐振器的负载电容特性改变输出频率。其实温度补偿晶振也是石英晶体振荡器之一(简称晶振)。
温度补偿晶振的精度和稳定性高出普通石英晶体振荡器,对于晶振的频率可以起到温度补偿的作用。比如在一些高温环境下,有些产品可能会因为高温出现不良现象,甚至会导致整个产品瘫痪。
在这种情况下,将使用TCXO预热晶振。原理是通过感应环境温度,适当转换温度信息,控制晶振的输出频率,从而达到稳定输出频率的效果。温度补偿晶振可以对天气温度变化起到添补作用。当温度较低时,它会根据自身的温度补偿电路对周围温度变化引起的振荡频率偏差进行补偿,从而保护产品的稳定性。
TCXO温度补偿石英晶体振荡器是一种通过附加的温度补偿电路来减小因环境温度变化而引起的振荡频率变化的石英晶体振荡器。
因为不同领域的电子产品对石英晶体振荡器的要求是不一样的,而温贴晶振是为了补偿普通晶振在高温下的不稳定因素而开发出来的,但是,温贴晶振有很多种类型,每种类型的温贴晶振都有自己的特点。
温度补偿晶体振荡器由压控晶振(VCXO)和温度补偿晶振(TCXO)组成。电压控制晶振通过晶振的调制端将调制信号加到变容二级管上,使晶振的频率随调制信号的幅度而变化,从而达到调频的目的。
晶振在温度和频率稳定度上较有优势。TCXO主要利用附带的温度补偿电路来降低环境温度对振荡频率的影响。温度补偿包括直接补偿和间接补偿。间接补偿可分为模拟和数字形式。
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晶体谐振器构造䭭先,晶体谐振器里面的晶体指的是石英晶体,化学式是二氧化硅SiO2。石英的特点是:热膨胀系数小、Q值高、绝缘等。石英可以做成晶体谐振器,主要是利用了压电效应。压电效应又分为正压电效应和逆压电效应,以下是百度百科对其的定义:意思对应下图:↓晶体的构造示意图如下:↓上图左边是晶体构造的示意图,右边是我们常见的晶振的符号根据对之前压电效应的理解,晶体可以将电能转化为机械能,然后机械能又能转
晶振作为时钟电路中匕不可少的信号传递者,单片机要想正常运作就需要晶振存在。因此,在电子电路设计中也少不了晶振的参与。一个好的晶振电路设计,是能够为电子提供蕞好的空间利用率,同时发挥蕞大的功能性作用。振荡原理振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。从能量的角度来说,正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。对于任何一个带有反馈的放大电路,都可以画成下图
其实对于差分晶振怎么测量方式有很多种,主要还是要看自己选择什么样的方式了,因为选择不同的测量方式步骤和操作方式是不同的。关于差分晶振怎么测量的方式,小扬给大家详细的分享一些吧! 差分晶振测量技巧技巧一:传统测量方式传统的测量方式就是使用替代法或示波器测量。如何用万用表测量晶振是否开始振动呢?可以用万用表测量晶体振荡器两个管脚的电压是否是芯片工作电压的一半,比如工作电压为5V,那么就是2.
YXC可编程振荡器,频点156.25MHz,工作电压3.3V,应用于DCI-BOX主控板
DCI-BOX主控板是一个用于数据通信和集成的高.性能计算平台。它可能包含多个处理器、高速内存、高速I/O接口和其他専用组件,用于加速数据处理和通信任务。 在 DCI-BOX 主控板中,晶振是其时钟信号源之一,它提供了系统的基本时钟频率。这个基本时钟频率将被分频和/或倍频以产生各种系统时钟,例如处理器时钟、总线时钟、内存时钟等。DCI-BOX 主控板中的各个模块之间需要进行传送数据,例如
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小尺寸OCXO恒温振荡器 YOV0907SM 10至100MHZ 3.3V和5V
CMOS VC TCXO压控温补晶振YSV350TP 6.4至60MHZ 低功耗6mA 高稳定性正负0.5ppm
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF 正负20PPM 负40至85度 XKYJI112 32.768K
表晶YST310S 32.768KHZ 12.5PF 正负20PPM 负40至85度 XKXGI112 32.768K
Q MEMS差分压控振荡器YSV220PR 122.88MHZ 3.3V 负40至85度 牵引 正负50PPM LVDS
石英晶体YSX1210SL 32MHZ 8PF 正负10PPM 负40至85度 XL5KI11132M
晶体YSX1612SC 24MHZ 8PF 正负10PPM 负40至125度 XC4KO11424M
热敏晶体YSX211TS 19.2MHZ 7PF 正负10PPM 负30至85度 XS7JNGTE19.2M