芯片开封decap简介及芯片开封在失效分析中应用案例分析


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  • 晶柱成长制程

    《晶柱成长制程》 硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱,以下将对所有晶柱长成制程做介绍。 长晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制**摄氏1420度的融化温度之上,此阶段中较重要的参数为坩锅的位置与热量的供应,若使用较大的功率来

  • 微纳加工应用

    聚焦离子束,Focused Ion beam 服务介绍:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。 服务范围:工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域 服务内容:1.芯片电路修改

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    2018年失效分析技术分享活动,仪准科技自2012年在北京建立以来,一直受到半导体行业内**们的支持与鼓励,这6年来,有赞美,有夸奖,有磕绊,也有不足;感谢大家一直以来的包容与支持,**们之间的反馈与意见是我们进步的较大推动力。 我们也一直在半导体行业中努力吸收新鲜知识,紧跟行业潮流,完善公司设备及技术要求,尽我们的较大努力,去达到实验标准。 仪准科技特此推出2018年年中的优惠活动,以此来回馈新

  • IC封装失效分析实验室

    [封装失效分析系列一] IC封装失效分析实验室 近年来,随着半导体技术的不断发展,继续减小线宽的投入与其回报相比变得越来越不划算。业界大佬Intel的10nm工艺预计将在2017年Q3亮相,这个时间点明显已经偏离摩尔定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的设计与流片成本过高,使得近些年SiP(System in Package)逐渐受到热捧。通过不同种类芯片及封装颗粒之间的

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