一、固定电容器的检测
1、检测10pF以下的小电容
因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
2、检测10PF~0.01μF固定电容器
万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6 等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射较e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
3、电解电容器的检测
A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度 (对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。
C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。
D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量。
二、可变电容器的检测
A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。
B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的。
C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。
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首先我们先来说一个很简单的例子,如在给高速数字芯片加去耦电容的时候,很多人都知道需要加“一个大电容和一个小电容”,问起原因有些人会说滤除电源系统上的噪声。而实际上即使直接采用电池供电的系统当中,高速数字芯片附近仍然需要去耦电容,这些电容的存在是为了提高电源对芯片的瞬态输出能力。 当数字芯片的内部时钟边沿触发逻辑翻转是需要在瞬间从电源吸取比较大的电流,这时需要电容来提供一个“本地”的瞬态电源,以克服
在谐振电路中,可选用云母、陶瓷、**簿膜等电容器。在高频、高压电路中应选用瓷介电容、云母电容。在电源滤波、退耦电路中应选用电解电容器。 用作隔直流时可选用纸介、涤纶、云母、电解电容器。用在调谐回路时,可选用空气介质或小型密封可变电容器。在选用时还应注意电容器的引线形式。可根据实际需要选择焊片引出、接线引出、螺丝引出等,以适应线路的插孔要求。 电容器的额定电
贴片电感也是线路中经常用到的电子元器件之一,它主要有4种类型:绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。不过较常用的两种是绕线电感和叠层电感,绕线型的贴片电感它的特点是电感量范围广(mH~H),而且电感量精度特别高,损耗小也就是Q值很大,容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。 叠层型的贴片电感,它具有良好的磁屏蔽性、
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