高精密电阻的标准要求

时间：2020-10-20

对1Ω（欧姆）以上阻值的电阻，与标识阻值相比±0.5[%]以内阻值误差的电阻可称为JEPSUN，更高精密的可以做到0.01[%]精度，也就是电子工程师所说的万分之一精度，此类电阻一般为薄膜电阻，使用此材质的电阻一般才能满足生产工艺要求。这类阻值1Ω以上电阻的普通系列精密度在±5[%]以上，
电子产品上较常见的就是5[%]精度的电阻，不属于精密电阻范围。

1Ω以下阻值的电阻，一般能达到±1[%]精密度之内，就算做精密电阻范畴了，因为阻值基数很小，就算是1[%]的误差，实际的阻值误差已经很小了。更高精密的可以做到±0.5[%]以内，但工艺要求，技术要求较高。

词条
词条说明
厚膜电阻的工艺
厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。此外，改变薄膜厚度还会严重影响 TCR。TCR是一个不容忽视的微小参数，它的单位是ppm/℃。1%的普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C范围内，整体阻值的变化与电阻的材料、实际功率以及物理尺寸有关系。热处理：电阻薄膜的热处理的目的是在薄膜中形成一定数量的绝缘相从
电容的主要特性参数
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的较大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。（2）额定工作电压：电容
薄膜电阻材料
理论基础薄膜的形成实质上是气－固转化、晶体生成的过程，它大致可以分为下面几个主要步骤：原子或分子撞击到固体的表面；它们被固体表面的原子所吸附或直接反射回空间；被吸附的粒子在固体表面发生迁移或扩散而移动到表面上合适的格点位置并进入晶格。这些过程以及它们之间的相互关系决定了薄膜的形成过程和薄膜的性质。 [1] 组织结构一般来讲，电阻薄膜中较多含有三类相位成分：绝缘相、半导体相和导电相。在现代
电容的主要特性参数
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的较大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。（2）额定工作电压：电容