TRICONEX 3006 在开启期间,器件具有限制电流上升的*大dI/dt额定值。这是为了在达到全电流之前允许器件的整体达到导通。如果**过该额定值,器件*靠近栅较触点的区域将过热,并因过电流而熔化。dI/dt的速率通常通过添加α来控制饱和电抗器(导通缓冲器),尽管GTO晶闸管的导通dI/dt没有普通晶闸管严重,因为GTO是由许多并联的小晶闸管单元构成的。饱和电抗器的复位通常对基于GTO的电路提出*小关断时间要求。
在关断期间,必须限制器件的正向电压,直到电流消失。该限值通常为正向阻断电压额定值的20%左右。如果在关断时电压上升过快,由于高电压和电流集中在器件的一小部分上,不是所有的器件都将关断,并且GTO将失效,通常是爆炸性的。实质的缓冲器器件周围增加了电路,以限制关断时电压的上升。复位缓冲电路通常会对基于GTO的电路提出*低导通时间要求。
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