TRICONEX 3006 在开启期间,器件具有限制电流上升的*大dI/dt额定值。这是为了在达到全电流之前允许器件的整体达到导通。如果**过该额定值,器件*靠近栅较触点的区域将过热,并因过电流而熔化。dI/dt的速率通常通过添加α来控制饱和电抗器(导通缓冲器),尽管GTO晶闸管的导通dI/dt没有普通晶闸管严重,因为GTO是由许多并联的小晶闸管单元构成的。饱和电抗器的复位通常对基于GTO的电路提出*小关断时间要求。
在关断期间,必须限制器件的正向电压,直到电流消失。该限值通常为正向阻断电压额定值的20%左右。如果在关断时电压上升过快,由于高电压和电流集中在器件的一小部分上,不是所有的器件都将关断,并且GTO将失效,通常是爆炸性的。实质的缓冲器器件周围增加了电路,以限制关断时电压的上升。复位缓冲电路通常会对基于GTO的电路提出*低导通时间要求。
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产品描述:3BSE020848R1厦门阿米控致力推动业界交流,我们经验丰富的团队将用业界多年的行业知识为您提供解决方案。厦门阿米控有大量的工业电子零部件可供选择。 新的和停产的。 我们很乐意帮助您保持良好状态。 我们的大量库存通常使我们能够为您提供帮助,因此您的生产可以立即重新启动! 厦门阿米控质量是我们提供的核心我们大量的工业产品库存已准备好发货,
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