美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 热蒸镀机应用

时间：2024-01-12

上海伯东某客户在热蒸发镀膜机中配置美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40, 进行镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等.

离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD
考夫曼离子源 KDC 40 到基片距离控制在 300mm, 离子源和基片都设计为高度可调节, 客户可根据不同的工艺要求选择合适的角度. 离子源上面做可联动控制的盖板, 在离子源刚启动时关闭盖板, 待离子束流稳定后打开盖板, 对基片做预清洁和辅助镀膜等工艺, 保证工艺的稳定性和均匀性. 当工艺完成后可以技术关闭盖板, 保证离子源不被污染, 延长离子源使用寿命, 降低保养成本.

KRi 离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 离子源辅助镀膜 IBAD
通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.
通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以过 120 mA.

型号	KDC 40
供电	DC magnetic confinement
- 阴灯丝	1
- 阳电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅	, 自对准
-栅直径	4 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1202
配置	-
- 阴中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构	移动或快速法兰
- 高度	6.75'
- 直径	3.5'
- 离子束	聚集, 平行, 散射
-加工材料	金属, 电介质, 半导体
-工艺气体	惰性, 活性, 混合
-安装距离	6-18”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.

上海伯东同时提供热蒸镀机所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的设备.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

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词条说明
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