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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等!KRi 离子源预清洁可以实现去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污
半导体后端工艺制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊气体,气体管路系统(真空管路)的作用是把各种气体在满足工艺制程要求的纯度, 压力和流量的前提下稳定的供应到工艺设备内. 上海伯东美国 HVA 插板阀广泛用于高真空或高真空的气体输送环节, 用来改变气流方向, 调节气流量大小, 切断或接通管路, 起到真空隔离密封等作用. 美国 HVA&nb
因产品配置不同,价格货期需要电议,图片仅供参考,一切以实际成交合同为准。HVA 高真空闸阀应用于 OLED 镀膜机OLED 镀膜机主要面向半导体照明客户, 需要镀膜机性能稳定, 器件效率高, 性价比高,HVA 高真空闸阀应用一般科研用镀膜机的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求达到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 这时需要配置分子泵系统或低温泵
立方氮化硼(cBN)由于具有高的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力. 在对立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金属研究所采用
公司名: 伯东企业(上海)有限公司
联系人: 叶南晶
电 话: 021-50463511
手 机: 13918837267
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地 址: 上海浦东高桥上海浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室
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