合肥太阳能单晶电池片多少钱一片回收

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    太阳能电池如何制作

    1、 硅片切割,材料准备:

    工业制作硅电池所用的单晶硅材料,一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒,原始的形状为圆柱形,然后切割

    成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的边长一般为10~15cm,厚度约200~350um,

    电阻率约1Ω.cm的p型(**节能环保网掺硼)。

    2、 去除损伤层: 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷,这就会产生两个问题,首先表面的质量较差,另外

    这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除,一般采用碱或酸腐蚀,腐蚀的厚

    度约10um。

    3、 制绒:

    制绒,就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,形成漫反射,减少直

    射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀,利用单晶硅的各向异性腐蚀

    ,在表面形成无数的金字塔结构,碱液的温度约80度,浓度约1~2%,腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说,一

    般采用酸法腐蚀。

    4、 扩散制结: 扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度,因此在扩

    散前硅片表面的洁净非常重要,要求硅片在制绒后要进行清洗,即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。

    5、 边缘刻蚀、清洗:

    扩散过程中,在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形 成短路环,必须将它除去。

    周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降,以至成为废品。目前,工业化生产用等离子干法腐

    蚀,在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用,去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程

    中形成的磷硅玻璃。

    6、 沉积减反射层: 沉积减反射层的目的在于减少表面反射,增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PE

    CVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面

    钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。

    7、 丝网印刷上下电极: 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤,它不仅决定了发射区的结构

    ,而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。较早采用真空蒸镀或化学电镀技术,而现在普

    遍采用丝网印刷法,即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆(银铝浆)印刷在太阳电池的正背面,以形成正负

    电极引线。

    8、共烧形成金属接触: 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料,传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带

    有金属电极欧姆接触,共烧工艺只需一次烧结,同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作

    中,通常采用链式烧结炉进行快速烧结。

    9、 电池片测试: 完成的电池片经过测试分档进行归类。

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