IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

时间：2017-05-19

IRFP460APBF型号	IRFP460APBF品牌	IRFP460APBF封装	IRFP460APBF批号	IRFP460APBF备注
IRFP460APBF	VISHAY	TO-247	2016+	全新原装现货
IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
IRFP460APBF Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3针 TO-247AC封装
IRFP460APBF规格书
IRFP460APBF图片

IRFP460APBF特性
?低闸较电荷路上导致简单的驱动要求
?改善门,雪崩和动态dV / dt强度
?完全具有电容和雪崩电压和电流
?有效输出电容*
?符合RoHS指令2002/95 / EC
IRFP460APBF应用
?开关模式电源(SMPS)
?不间断电源
?高速功率切换
典型SMPS拓扑
=全桥
? PFC升压
IRFP460APBF一般信息
数据列表	IRFP460A;
标准包装	500
包装	管件 
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	-
其它名称	*IRFP460A 

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源较电压（Vdss）	500V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	3100pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	280W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	270 毫欧 @ 12A，10V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3

词条
词条说明
STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管
STW3N150 型号 STW3N150 品牌 STW3N150 封装 STW3N150 批号 STW3N150 备注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原装正品现货 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N沟道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3针 TO-247封装 STW3N150
FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N沟道增强型功率MOSFET
FQB5N90概述该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供**的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（较大值）@VGS = 10 V, I
IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
IRFP460APBF型号 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封装 IRFP460APBF批号 IRFP460APBF备注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原装现货 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF,
HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管
HGTG5N120BND产品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如：UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。 HGTG5N120BND产品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降时间。. . . .