小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块耐压为1200V

时间：2020-11-24

富士电机与日本山梨大学的研究小组开发出了小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块，这个IGBT模块与其它的模块的区别，此次开发品的特点在于陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铝。竞争产品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散热片使用铜，或者陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铜。并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”上发表了该模块采用的技术。该小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块的耐压为1200V，电流为500A，面积为320mm×170mm。据介绍，在海外，该小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块已被用于2012年底上市的混合动力车（HEV），而在日本，小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块将配备在的HEV上。
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4500V/6500V IGBT模块产品额定电流为250A至1200A
4500V/6500V IGBT模块产品支持不同拓扑结构的IGBT模块，额定电流为250A至1200A 4500V/6500V IGBT模块产品采用新型外壳封装的大功率IGBT模块设计旨在覆盖3.3kV到6.5kV的全电压范围。新型封装的产品预计将主要应用在工业级驱动、牵引、可再生能源和电力传输等领域。IHM / IHV系列涵盖了所有可能的逆变器功率大小，支持单开关模块、半桥模块、斩波器
igbt功率模块是以绝缘栅双较型晶体管（igbt）构成的功率模块
由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。 igbt是先进的*三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例s
可控硅调速原理
可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电机端电压的波形,从而改变电机端电压的有效值,达到调速的目的。当可控硅导通角=180时,电机端电压波形为正弦波,即全导通状态;当可控硅导通角<180时,即非全导通状态,电压有效值减小;导通角越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机的转速可连续调节。CPU⑥脚输出的驱动信号经Q5放