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方法一:测量较间电阻法将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;2、如果测得T1
常用的熔断器(1)插入式熔断器它常用于380V及以下电压等级的线路末端,作为配电支线或电气设备的短路保护用。(2)螺旋式熔断器熔体上的上端盖有一熔断指示器,一旦熔体熔断,指示器马上弹出,可透过瓷帽上的玻璃孔观察到,它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大,可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中,作短路保护。(3)封闭式熔断器封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断
1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制较G三个引出脚。双向可控硅有阳极A1(T1),*二阳极A2(T2)、控制较G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制较G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴
富士电机与日本山梨大学的研究小组开发出了小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块,这个IGBT模块与其它的模块的区别,此次开发品的特点在于陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铝。竞争产品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散热片使用铜,或者陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铜。并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”上发表了该模块采用的技术。该小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块的耐压为1200V,电流
公司名: 苏州徳昇锘电子科技有限公司
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