什么是IGBT功率模块

时间：2020-11-24

从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双较型晶体管，是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双较型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用较广。

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词条说明
小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块耐压为1200V
富士电机与日本山梨大学的研究小组开发出了小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块，这个IGBT模块与其它的模块的区别，此次开发品的特点在于陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铝。竞争产品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散热片使用铜，或者陶瓷基板使用Al2O3、散热片使用铜。并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”上发表了该模块采用的技术。该小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块的耐压为1200V，电流
焊机**快恢复二极管DBA200UA60 DBA200UA40
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可控硅调速原理
可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电机端电压的波形,从而改变电机端电压的有效值,达到调速的目的。当可控硅导通角=180时,电机端电压波形为正弦波,即全导通状态;当可控硅导通角<180时,即非全导通状态,电压有效值减小;导通角越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机的转速可连续调节。CPU⑥脚输出的驱动信号经Q5放
4500V/6500V IGBT模块产品额定电流为250A至1200A
4500V/6500V IGBT模块产品支持不同拓扑结构的IGBT模块，额定电流为250A至1200A 4500V/6500V IGBT模块产品采用新型外壳封装的大功率IGBT模块设计旨在覆盖3.3kV到6.5kV的全电压范围。新型封装的产品预计将主要应用在工业级驱动、牵引、可再生能源和电力传输等领域。IHM / IHV系列涵盖了所有可能的逆变器功率大小，支持单开关模块、半桥模块、斩波器