LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
小型管式LPCVD设备
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
LPCVD设备计算机工艺控制系统
设备主要技术指标
成膜类型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等
较高温度 ：1200℃
恒温区长度 ：根据用户需要配置
恒温区控温精度： ≤±0.5℃
工作压强范围 ：13～1330Pa
膜层不均匀性： ≤±5％
基片每次装载数量： 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制： 闭环充气式控制
装片方式： 手动进出样品
控制软件界面
LPCVD工艺编制界面
LPCVD实时运行监控界面
LPCVD手动运行界面
LPCVD自动运行界面
