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维品佳专注行业15年,常用场效应管MOS管选型表SSS2N60B50只/管 1K/盒TO-220FSSP2N60B50只/管 1K/盒TO-220FQPF2N60C50只/管 1K/盒TO-220FFQP2N60C50只/管 1K/盒TO-220SSS4N60B50只/管 1K/盒TO-220FFQPF5N60C50只/管 1K/盒TO-220FFQP5N60C50只/管 1K/盒TO-220SS
能使电路中形成恒定电流的装置,如干电池、蓄电池、直流发电机等,称为直流电源。 直流电源有正负两个电,正的电势高,负的电势低;当两个电与电路连通后,直流电源能维持两个电之间的恒定电势差,从而在外电路中形成由正到负的恒定电流。 要使直流电源两间的电势差保持恒定必须使在外电路中由正流到负的正电荷,在电源内部逆着电场力的方向,由负返回到正去。这个过程不能靠静电力,只能靠某种与静电力方向相反的“非静电力”来
快充芯片CR6890A SOT23-6 启臣微产品概述CR6890A是一款高集成度、低待机功耗的 CCM+PFM+QR 混合电流模式 PWM控制器。CR6890A轻载时会降低频率,最低频率 22kHz 可避免音频噪声。CR6890A提供了完整的保护功能,如 cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过 PRT 脚分别精确设置外置过温保护和
肖特基二管的内部结构肖特基(Schottky)二管也称肖特基势垒二管(简称SBD),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二管,其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、高速半导体器件。肖特基二管在结构原理上与PN结二管有很大区别,它的内部是由阳金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、
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