意大利OPTOI光电晶体管阵列-OIT15C-NR

    天津瑞利光电科技有限公司优势经销意大利OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR

    产品型号:OIT15C-NR

    产品介绍

     

    OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极,该集电极连接到单个焊盘,每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm,LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2

    该产品的优点是硅传感器的高度均匀性,由于单片结构和受控的微电子过程,信号的高稳定性和高光学响应性,由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。

    该设备采用薄塑料薄膜保护,可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上,就须去除薄膜,用户可以安装光学标线片。尺寸减小,以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。

     

    性能特点

     

    耐焊接工艺,MSL2

    硅电池的高均匀性

    更小的光学间距,更宽的有效区域

    高增益

    非常小的尺寸

    准确安装的参考点

    提供分划板组装服务

     

    技术参数

     

    工作温度范围:-40 100 °C

    储存温度:-40 100 °C

    引线温度(焊锡)3s:230 °C

    集电极-发射较击穿电压@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V

    功耗,TA=25°C 时:150 mW

    静电放电敏感性:3级

    暗电流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA

    响应度:0.5 A/W

    峰值响应度 VCE=5V:750 nm

    光谱带宽@50% VCE=5V:500950 nm

    发射较-集电极电流 VCE=7.7V:0.025100 μA

    集电极-发射较电流 VCE=52V:0.025100 μA

    增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500

    饱和电压 IE=2mA IB=20μA:80200 mV

    通态集电极电流 VCE=5V EE=1.0mW/cm21 mA

    上升时间VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

    下降时间 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

    光电晶体管有效面积:0.125 mm2

    有效区域长度:0.25 mm

    有效区域宽度:0.50 mm


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