SC5510BDFER-集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片

时间：2023-03-20作者：深圳市科瑞芯电子有限公司浏览：65

SC5510BDFER-集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片




介绍

SC5510B是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能，包括电池过压保护及电池欠压保护，充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510B只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻，可以有效地减少空间和成本，特别是有限的空间的电池应用。SC5510B特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson，有效保证高精度电压/电流检测及延时电路，避免电池过充/过放。因此，电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510B的待机电流较低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供较大能量。




功能

●  单节锂离子/聚合物电池保护芯片

●  ，易于设计，只需要一个电容和电阻

●  精确的延时电路

●  充电过压保护及释放

●  放电过压保护及释放

●  充电过流保护

●  放电过流保护

●  负载短路保护

●  支持0V电池充电功能

●  电池反充保护

●  集成**低Rdson MOSFET (9 mΩ，VM-GND)

●  低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)

●  热关断

●  采用2mm * 2mm DFN封装




应用

●  移动电源

●  单节锂电池

●  可穿戴设备

●  移动设备








深圳市科瑞芯电子有限公司专注于电源芯片等

• 词条

  词条说明

• 同步升压充电控制芯片-SC8804QDER-QFN-32L南芯原装现货

  同步升压充电控制芯片-SC8804QDER-QFN-32L南芯原装现货描述SC8804是一个支持高压输入的同步升压充电控制器，同时支持反向OTG降压输出。SC8804拥有**宽范围输入输出电压。它可支持从2.7V到40 V的应用范围，满足客户从高至6节的不同需求。SC8804同时采用业界良好的10V驱动器电压，充分利用外置功率管以达到较高的转换效率。SC8804采用电流模式控制升压或者降压，并可用外

• 南芯全新原装-SC8812AQDER-40V-同步升降压充电管理控制芯片

  南芯全新原装-SC8812AQDER-40V-同步升降压充电管理控制芯片介绍SC8812A 是一款带I2C接口的同步升降压充电控制器，同时支持电池反向放电工作。芯片支持VBAT电池端及VBUS 36V高压工作，在适配器电压**、低于或者等于电池电压时，均能保证1-4节锂离子电池充电应用。当工作系统需要电池提供能量时，SC8812A也支持电池反向放电工作，输出设定的电压，并且较高放电电压可达36V。

• SC8915QDHR-充放电双向-带I2C控制接口-同步升降压充电芯片

  SC8915QDHR-充放电双向-带I2C控制接口-同步升降压充电芯片介绍SC8915 是一款带I2C接口的同步升降压锂电池充电控制器，同时支持电池反向放电工作。芯片内部集成2个功率管，并支持电池VBAT端36V高压工作和适配器VBUS端26V工作，在适配器电压**、低于或者等于电池电压时，均能保证1-6节锂离子电池充电应用。当工作系统需要电池提供能量时，SC8915也支持电池反向放电工作，输出高

• 深圳热销-SC2012CQDKR-多种快速充电协议的USB-PD Sink控制器

  深圳热销-SC2012CQDKR-多种快速充电协议的USB-PD Sink控制器介绍SC2012C是一个高度集成的PD控制器。它符合较新的USB Type-C和PD 3.0标准，并支持市场上主流的高压快速充电协议的DPDM接口，SC2012C适用于不同类型的移动设备。SC2012C的额定电压为30V，并且不需要外部LDO。SC2012C内部集成USB PD PHY、Type-C检测、电压电流检测、