集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片-SC5510DDFER

时间：2023-03-20

介绍

SC5510D是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能，包括电池过压保护及电池欠压保护，充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510D只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻，可以有效地减少空间和成本，特别是有限的空间的电池应用。SC5510D特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson，有效保证高精度电压/电流检测及延时电路，避免电池过充/过放。因此，电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510D的待机电流较低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供较大能量。

功能

● 单节锂离子/聚合物电池保护芯片

● ，易于设计，只需要一个电容和电阻

● 精确的延时电路

● 充电过压保护及释放

● 放电过压保护及释放

● 充电过流保护

● 放电过流保护

● 负载短路保护

● 支持0V电池充电功能

● 电池反充保护

● 集成**低Rdson MOSFET (9 mΩ，VM-GND)

● 低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)

● 热关断

● 采用2mm * 2mm DFN封装

应用

● 移动电源

● 单节锂电池

● 可穿戴设备

词条
词条说明
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