【掩膜版】掩膜版的制作方法

    为了解决相关技术中保护膜对待蒸镀基板产生污染,掩膜版的可靠性较差的问题,本实用新型提供了一种掩膜版。所述技术方案如下:

    所述掩膜版包括:掩膜框架和固定设置在所述掩膜框架上的多个掩膜版本体,所述掩膜框架和所述多个掩膜版本体形成有透光区域,

    每个所述掩膜版本体包括:掩膜条;

    所述掩膜条上设置有衔接层;

    设置有所述衔接层的掩膜条上设置有保护层,所述衔接层用于将所述保护层粘附至所述掩膜条上。

    可选的,所述保护层呈蜂窝网状。

    可选的,所述保护层的网格为六边形网格,所述网格的边长为100微米~1000微米,线宽度为20微米~100微米,厚度为1微米~20微米。

    可选的,所述保护层的网格的边长为200微米,线宽度为20微米,厚度为10微米。

    可选的,所述衔接层的厚度为0.1微米~1微米。

    可选的,所述衔接层的厚度为0.5微米。

    可选的,所述多个掩膜版本体的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域,所述重叠的区域上不设置保护层。

    可选的,所述保护层由树脂材料制成。

    可选的,所述衔接层由硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种制成。

    可选的,所述掩膜条由不锈钢箔、因瓦合金或可伐合金制成。

    本实用新型提供了一种掩膜版,掩膜版包括掩膜框架和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体,每个掩膜版本体包括掩膜条,掩膜条上设置有衔接层,设置有衔接层的掩膜条上设置有保护层,该衔接层能够将保护层粘附至掩膜条上,避免了保护层剥离脱落至待蒸镀基板,进而避免了保护层对待蒸镀基板产生污染,提高了掩膜版的可靠性。


    具体实施方式

    为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

    本实用新型实施例提供了一种掩膜版,如图1所示,该掩膜版包括:掩膜框架100和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体200。掩膜框架100和多个掩膜版本体200形成有透光区域300。

    如图2所示,每个掩膜版本体200包括:

    掩膜条211;

    掩膜条211上设置有衔接层212;

    设置有衔接层212的掩膜条上设置有保护层213,衔接层212用于将保护层213粘附至掩膜条211上。

    综上所述,本实用新型实施例提供的掩膜版,掩膜版包括掩膜框架和固定设置在掩膜框架上的多个掩膜版本体,每个掩膜版本体包括掩膜条,掩膜条上设置有衔接层,设置有衔接层的掩膜条上设置有保护层,该衔接层能够将保护层粘附至掩膜条上,避免了保护层剥离脱落至待蒸镀基板,进而避免了保护层对待蒸镀基板产生污染,提高了掩膜版的可靠性。

    需要说明的是,如果保护层与待蒸镀基板的接触面积过大,保护层也会对待蒸镀基板造成损害,因此,为了减小保护层与待蒸镀基板的接触面积,进而减小保护层对待蒸镀基板的损害,如图3所示,保护层213可以呈蜂窝网状。

    另外,蜂窝网状结构可以分散来自各方向的压力,使得蜂窝网状结构对压力的抵抗能力较高,所以呈蜂窝网状的保护层比较坚固,能够减小待蒸镀基板与保护层接触时待蒸镀基板对保护层的损伤及压伤。

    此外,保护层还可以呈三角形状、菱形状或矩形状等。本实用新型实施例对保护层的结构不做限定。

    示例的,如图4所示,呈蜂窝网状的保护层的网格为六边形网格。保护层的网格的边长a为100微米~1000微米,线宽度b为20微米~100微米,厚度(图4中未示出)为1微米~20微米。优选的,保护层213的网格的边长为200微米,线宽度为20微米,厚度为10微米。

    可选的,保护层由树脂材料制成。保护层的材质较软,对待蒸镀基板的损害更小。

    可选的,如图2所示,衔接层212的厚度d为0.1微米~1微米。优选的,衔接层212的厚度为0.5微米。

    为了将保护层牢固地粘附至掩膜条上,衔接层由具有较小表面张力及表面疏水处理作用的材料制成。示例的,衔接层可以由硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种制成。

    如图5所示,多个掩膜版本体200的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域400(如图5中虚线所指示的区域),为了减小该重叠的区域的厚度,在本实用新型实施例中,重叠的区域上不设置保护层。

    可选的,图2中的掩膜条211由不锈钢箔、因瓦合金(Invar)或可伐合金(Kovar)制成。

    具体的,参见图1和图2,本实用新型实施例中的掩膜版的制造过程可以包括如下几个步骤:

    1)在掩膜条上形成衔接层。

    示例的,可以通过喷涂、旋涂、分子束外延等方式将具有较小表面张力及表面疏水处理作用的材料形成在掩膜条上,这样一来,掩膜条上形成一层疏水薄膜,该疏水薄膜即为衔接层。该材料可以为硅烷偶联剂、陶瓷、金属及金属氧化物纳米粒子中的至少一种。关于喷涂、旋涂、分子束外延等方式的具体过程可以参考相关技术。

    2)在形成有衔接层的掩膜条上形成保护层。

    示例的,可以通过旋涂、曝光等光刻工艺将树脂材料形成在衔接层上,使得衔接层上形成呈蜂窝网状的保护层。至此,完成一个掩膜版本体的制造。

    按照步骤1)和2),制造多个掩膜版本体。

    3)采用张网机将多个掩膜版本体固定设置在掩膜框架上。

    掩膜框架和多个掩膜版本体形成有透光区域。示例的,可以采用张网机将多个掩膜版本体焊接在掩膜框架上。进一步的,如图5所示,多个掩膜版本体的至少两个掩膜版本体存在重叠的区域400,为了减小该重叠的区域400的厚度,可以通过打磨的方式去除重叠的区域400上的保护层。

    在使用本实用新型实施例提供的掩膜版进行蒸镀工艺时,将该掩膜版设置于待蒸镀基板上方,并对掩膜版和待蒸镀基板的位置进行校正。之后,将**材料加热至一定温度,使得**材料通过待蒸镀基板上方的掩膜版的透光区域到达待蒸镀基板表面,从而在待蒸镀基板上形成一定形状的薄膜。



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