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plasma等离子处理TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜的光谱研究
二氧化硅薄膜是一种性能优良的介质材料,它具有介电性能稳定,介质损耗小,耐潮性好,温度系数好等优点,具有较其稳定的化学性和电绝缘性。因此,二氧化硅在集成电路工艺中的应用很广泛。 正是由于二氧化硅薄膜在集成电路工艺中应用的广泛性,所以需要制备具有不同特性的二氧化硅薄膜,这就意味着要不断研发出各种新型的薄膜沉积技术。近年来,常压plasma等离子处理
等离子表面活化机广泛应用于纺织品后整理。按照整理的目的和要求,可以实现纺织品的多功能加工,大大提高产品的附加值。目前,它在纺织品中的应用主要包括以下几类。1)等离子表面活化机三防整理传统式的纺织品三防整理,往往需要经过轧制、烘焙、烘焙等工序,工艺流程长,需要耗费大量能量;而且需要昂贵的整理剂等添加剂。因此,其加工成本高,整理后往往会影响或牺牲纤维或织物本身的特性和性能。更重要的是,这些整理剂或交联
基因芯片又称作寡核苷酸微阵列,它是通过**固相生成技术或探针固定化技术,将一系列不同序列的寡核苷酸按阵列分布固定在固相载体上。现阶段作为基因微阵列原位生成的载体多以玻璃片和硅单晶,而pp聚丙烯膜、尼龙膜等高分子材料微孔膜,则大多用于点样法生物芯片的制备,这种膜作为芯片载体荧光背景强,过去必须采用同位素检测,因而不为人们所青睐。
等离子处理机诱导产生的活性种(例如自由基等),提供了表面二(乙二醇)甲醚分子碎片再次相结合做好反应的机制。自由基落入成的分子网络中,可触发剧烈的电子激发原位氧化反应。 对等离子处理机处理后的铝片分子层构造做ATR-FTIR剖析,在1583.07cm处有个较强的吸收峰,这也是PEG构造中C-O键的特征吸收峰,表明沉积的表面层是类PEG构造。1780.21cm处的吸收峰,说明有C
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