陶瓷电容的发展历程分析回顾

    在电子行业中,曾经流传一种说法"电容器迟早会被纳入半导体设备".但是实际上,在半导体设备发展的同时,多层陶瓷电容器的重要性也与日俱增。如果没有多层陶瓷电容器,也就无法指望使用先进的微细加工技术制造的微处理器、DSP、微型计算机、FPGA等的半导体设备能正常运行。

    虽然大家往往认为电阻、电容器、电感器等无源元件的存在不甚抢眼,但实际上它们却是先进的电子设备中必不可少的元器件。特别是对先进的半导体设备而言,多层陶瓷电容器较其重要。如果没有这种电容器,就无法指望半导体设备能正常运行。在电子行业中,曾经流传一种说法电容器迟早会被纳入半导体设备。但是实际上,在半导体设备发展的同时,多层陶瓷电容器的重要性也与日俱增。如果没有多层陶瓷电容器,也就无法指望使用先进的微细加工技术制造的微处理器、DSP、微型计算机、FPGA等的半导体设备能正常运行。

      陶瓷电容器小型化和大容量化

      目前,多层陶瓷电容器的市场规模在铝电解电容器、钽电解电容器和薄膜电容器等各式电容器中是大的。稍早前的数据显示2008年日本国内出货量为6278亿个,日本国内出货金额达到3059日元(源自经济产业部的机械统计)。***2位的铝电解电容器日本国内出货量为182亿个,日本国内出货金额为1743日元。其差距相当巨大。2012年,多层陶瓷电容器增加到7655亿个,与此相对,铝电解电容器却减少到109亿个。其差距在不断扩大。

      通过多重层叠电介质层和内部电极,实现了较大电容。虽然现在多层陶瓷电容器在电容器市场上占据榜**置,然而在产品推出之初却很难被市场接受。构思出多层陶瓷电容器创意的是美国企业。在始于1961年的阿波罗计划的推进过程中,出于需要,大电容量的小型电容器应运而生。通过在薄电介质上形成电极,并进行多个叠加,实现了在小体积内充满大电容的电容器。

      多层陶瓷电容器的历史即可一言以蔽之,就是小型化和大容量化的历史。一般电容器的电容C可以通过来表达。在此表达式中,是介电常数,S是电极面积、d电极间距离(电介质厚度)。即,在一定的体积中,要增加电容,就只能使用高的材料,或者是薄化电介质。

      电介质材料在推出之初是采用的二氧化钛,但我们在较早的阶段引入了钛酸钡(BaTiO3)。之后也通过对该材料加以改良来不断提高相对介电常数,目前已经达到3000左右。相较于几十水平的二氧化钛相对介电常数,该数值也已经大其两位数。



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    词条说明

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