在电子行业中,曾经流传一种说法"电容器迟早会被纳入半导体设备".但是实际上,在半导体设备发展的同时,多层陶瓷电容器的重要性也与日俱增。如果没有多层陶瓷电容器,也就无法指望使用先进的微细加工技术制造的微处理器、DSP、微型计算机、FPGA等的半导体设备能正常运行。
虽然大家往往认为电阻、电容器、电感器等无源元件的存在不甚抢眼,但实际上它们却是先进的电子设备中必不可少的元器件。特别是对先进的半导体设备而言,多层陶瓷电容器较其重要。如果没有这种电容器,就无法指望半导体设备能正常运行。在电子行业中,曾经流传一种说法电容器迟早会被纳入半导体设备。但是实际上,在半导体设备发展的同时,多层陶瓷电容器的重要性也与日俱增。如果没有多层陶瓷电容器,也就无法指望使用先进的微细加工技术制造的微处理器、DSP、微型计算机、FPGA等的半导体设备能正常运行。
陶瓷电容器小型化和大容量化
目前,多层陶瓷电容器的市场规模在铝电解电容器、钽电解电容器和薄膜电容器等各式电容器中是大的。稍早前的数据显示2008年日本国内出货量为6278亿个,日本国内出货金额达到3059日元(源自经济产业部的机械统计)。***2位的铝电解电容器日本国内出货量为182亿个,日本国内出货金额为1743日元。其差距相当巨大。2012年,多层陶瓷电容器增加到7655亿个,与此相对,铝电解电容器却减少到109亿个。其差距在不断扩大。
通过多重层叠电介质层和内部电极,实现了较大电容。虽然现在多层陶瓷电容器在电容器市场上占据榜**置,然而在产品推出之初却很难被市场接受。构思出多层陶瓷电容器创意的是美国企业。在始于1961年的阿波罗计划的推进过程中,出于需要,大电容量的小型电容器应运而生。通过在薄电介质上形成电极,并进行多个叠加,实现了在小体积内充满大电容的电容器。
多层陶瓷电容器的历史即可一言以蔽之,就是小型化和大容量化的历史。一般电容器的电容C可以通过来表达。在此表达式中,是介电常数,S是电极面积、d电极间距离(电介质厚度)。即,在一定的体积中,要增加电容,就只能使用高的材料,或者是薄化电介质。
电介质材料在推出之初是采用的二氧化钛,但我们在较早的阶段引入了钛酸钡(BaTiO3)。之后也通过对该材料加以改良来不断提高相对介电常数,目前已经达到3000左右。相较于几十水平的二氧化钛相对介电常数,该数值也已经大其两位数。
词条
词条说明
近二十年来,电子工业以惊人的速度发展。新技能的前进在减小设备尺度的一起,也加大了分立元件制造商开发抱负功能器材的压力。 在这些器材中,晶片电阻当时始终坚持很高的需求,并且是很多电路的根底构件。它们的空间利用率优于分立式封装电阻,减少了拼装前期预备的工作量。跟着运用的遍及,晶片电阻具有越来越重要的效果。主要参数包括 ESD 维护、热电动势 (EMF)、电阻热系数 (TCR)、自热性、长时间稳定性、
金属氧化膜电阻器的外形与金属膜电阻器的外形基本相同,多为轴向式引线 金属氧化膜电阻器的特点是阻燃特性及抗化能力邵较金属膜电阻器强,且耐热性能好,过负载能力强,耐潮湿性能好。 但该种电阻器的阻值范围比较小,一般不**过200kΩ。常用的型号有RYl5、RYl6、RY17、RY26、RY27、RY28、RYG(功率型)等。 金属氧化膜电阻器具有以下特点: ①与金属膜电阻器相比,金属氧化膜电阻器有较好的
电阻是较主要的电子元件之一,产量约占整个电子元件的40%;而贴片电阻是电阻器中较主要的类型,产量已**过电阻器总产量的90%。 贴片电阻可以采用手工焊、再流焊和波峰焊中的任何1种焊接方法。 由于该类电阻的体积小,热容量不大,故无论采用那1种方法焊接,一定要按产品特性选择助焊剂、焊膏和清洗剂,严格控制焊接温度和焊接时间。 采用手工焊接时,电烙铁的功率不宜**过25W,烙铁的温度能调控,电烙铁的焊头一定
贴片共模电感常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中起到EMI滤波的作用,用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。 贴片共模电感的滤波电路,是由两个线圈绕在同一铁芯上,匝数和相位都相同(绕制反向)。这样,当电路中的正常电流流经共模电感时,电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消,此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼);当有共模电流流经线圈
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