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时间：2020-03-09

严格控制运行电压防止电容故障

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。

并联电容器的运行电压，必须严格控制在允许范围之内。即并联电容器的长期运行电压不得大于其额定电压值的10%，运行电压过高，将大大缩短电容器的使用寿命。2、损耗角正切(tanδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。随着运行电压的升高，并联电容器的介质损耗将增大，使电容器温度上升，加快了电容器绝缘的老化速度，造成电容器内绝缘过早老化、击穿而损坏。此外，在过高的运行电压作用之下，电容器内部的绝缘介质会发生局部老化，电压越高，老化越快，寿命越短。

并联电容器长期运行电压若**其额定电压的20%，其使用寿命将是正常情况的0.3倍左右。

所以，应根据当地电网运行电压的实际情况，合理选择额定电压值，使其长期运行电压不大于电容器额定电压值的1.1倍，当然实际运行电压过低也是十分不利的，因为并联电容器所输出的无功功率是与其运行电压的平方成正比的。电力电容器的作用都有:移相、耦合、降1压、滤波等，常用于高低压系统并联补偿无功功率、并联交流高压断路器断口、电机启动、电压分压等。若运行电压过低，将使电容器输出的无功功率减少，无法完成无功补偿的任务，失去了装设并联补偿电容器应起的作用。所以在实际运行中，一定要设法使并联电容器的运行电压长期保持在其额定电压的95%～105%，较高运行电压不得大于其额定电压值的110%

使用薄膜电容需要注意什么

答应电流

由于薄膜电容器内部阻抗较低、故会有较大的充电电流，特别是在电源ON-OFF时，会有较高的脉冲电流，此外电

容器用于反演电路和开关电路等高频电路时，会有较大的有效值电流。当电流追赶答应值规模时，会导致容量下降和开

路，或有效值电流引起电容发热，使介质耐压功能劣化而导致电容器击穿，乃至冒烟、起火。

答应电流根据击穿模式分红脉冲电流（峰值电流）和接连电流（有效值电流）来考虑，当运用时需承认这两个电流

都在答应规模内。

1.1各种波形的有效值换算联系,不同的波形有效值按下面的公式计算

1.2答应电流与运用频率

由于不同类型的薄膜电容器所运用的介质种类不同，其损耗频率特性也不同，因而不同类型的薄膜电容器在相同作业

频率之下答应有效值电流也不相同。特别在用于高频时损耗加大，如**出答应电流值运用，会导致击穿（冒烟、起火）

电容器的投切方式二

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次

电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。若运行电压过低，将使电容器输出的无功功率减少，无法完成无功补偿的任务，失去了装设并联补偿电容器应起的作用。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右

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电解电容器的检测精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。 A、因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B、将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间
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电容器中电场是什么意思呢？可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。电容器中电场是电荷及变化磁场周围空间里存在的一种特殊物质。电场这种物质与通常的实物不同，它不是由分子原子所组成，但它是客观存在的，电场具有通常物质所具有的力和能量等客观属性。电场的力的性质表现为：电场对放入其中的电荷有作用力，这种力称为电场力。电场的能的性质表现为：当电荷在电场中移
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