陶瓷电容器介质膜层与介质保护层一起被叠压形成均质的电容器体;介质保护层、介质膜层均为环状体,二组内电极的导电膜均为环形膜面,电容器体为带通孔的柱体;端电极包括外环端电极与内环端电极,其中内环端电极的金属化膜覆盖在通孔的内壁,而外环端电极的金属化膜覆盖在柱体的外壁。 陶瓷介质电容器提供一种能对信号或传输电线的高频电干扰具有综合和良好的抑制作用、且具有较好的耐压设计性能的环形陶瓷介质电容器及其制备和应用方法。
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贴片电容有以下几个分类:NCC-常规系列、HVC-高压系列、HCN NPO高容系列、HCC-高容系列、SCC-安规3KV-5KV、RFC--高Q系列、HCX-中高压,高容系列、LCC-大尺寸系列、HCL系列以及HTC--高温系列。 其中高容高压贴片电容分类代码是HVC、HCN NPO、HCC。 想了解更多请咨询平尚科技
[电子元件培训学堂] 厂家选用电阻器的常识 (1)根据电子设备的技术指标和电路的具体要求选用电阻的型号和误差等级。 (2)为提高设备的可靠性,延长使用寿命,应选用额定功率大于实际消耗功率的1.5-2倍。 (3)电阻装接前应进行测量、核对。 (4)在装配电子仪器时,若所用非色环电阻,则应将电阻标称值标志朝上,且标志顺序一致,以便于观察。 (5)焊接电阻时,烙铁停留时间不宜过长。 (6)
首先我们先来说一个很简单的例子,如在给高速数字芯片加去耦电容的时候,很多人都知道需要加“一个大电容和一个小电容”,问起原因有些人会说滤除电源系统上的噪声。而实际上即使直接采用电池供电的系统当中,高速数字芯片附近仍然需要去耦电容,这些电容的存在是为了提高电源对芯片的瞬态输出能力。 当数字芯片的内部时钟边沿触发逻辑翻转是需要在瞬间从电源吸取比较大的电流,这时需要电容来提供一个“本地”的瞬态电源,以克服
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管) 是近年来间世的低功耗、大电流、**高速半导体器件。其反向恢复时间较短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 结构原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为
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