低温氧化铝细粉

时间：2020-10-26

低温氧化铝细粉系列

此系列产品用于高铝耐火材料的粘结剂及镁磷耐火材料系列的添加剂以及磨料行业

产品理化指标：

型号	AL₂O₃	SiO₂	Fe₂O₃	Na₂O	灼减	目数
DW-01	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	200
DW-02	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	270
DW-03	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	320
DW-04	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	400
DW-05	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	500
DW-06	>98.5	≤0.03	≤0.04	≤0.3	1.0	600

词条
词条说明
平板状氧化铝研磨微粉的制备工艺
平板状氧化铝的制备可以通过很多方法，主要有熔盐法、水热(醇热)法、涂膜法、机械法以及液相间接制备法等。 1、熔盐法将所需组分的反应物与2种盐按照一定比例混合，然后在**盐的熔点的温度下进行煅烧，由于氧化物重新排布并*扩散到液态盐中进行反应而生成产物，冷却后经去离子水清洗除去其中的盐分得到纯净产物的一种粉体合成方法。
低温氧化铝细粉
低温氧化铝细粉系列此系列产品用于高铝耐火材料的粘结剂及镁磷耐火材料系列的添加剂以及磨料行业产品理化指标：型号AL2O3SiO2Fe2O3Na2O灼减目数DW-01>98.5≤0.03≤0.04≤0.31.0200DW-02>98.5≤0.03≤0.04≤0.31.0270DW-03>98.5≤0.03≤0.04≤0.31.0320DW-04>98.5≤0.03≤
MCA平板状氧化铝抛光研磨微粉性能指标
粒度分布表单位微米（μm）产品名称平均粒度较大粒径（dv-0值）累积高度3%点的粒径（dv-3值）累积高50%点的粒径（dv-50值）累积高94%点粒径（dv-94值） MCA4040<77.639-44.627.7-31.718-20MCA3535<64.235.4-39.823.8-27.215-17MCA3030<50.428.1-32.319.2-22.313.
半导体晶片的研磨
半导体晶片研磨磨削和研磨等磨料处理，对晶体的切片表面和厚度进行精细加工是半导体晶片加工的重要工序。然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，抛光的一致性、均匀性和表面粗糙度对生产芯片来说是十分重要的。其目的是保证晶片达到一定的厚度要求，去除晶片切割中产生的刀痕，并控制表面损伤层的厚度及其一致性。晶片研磨的基本技术是磨削