永久抗静电剂与普通抗静电剂的区别?

       市场上的抗静电剂有:纳路特永久性抗静电剂,ACL抗静电剂,葆力孚抗静电剂和Colcoat永久抗静电剂。纳路特是耐水洗永久抗静电剂,即用水冲洗或者用湿抹布擦拭,不会失去防静电功能。其他品牌的永久抗静电剂都不耐水洗,用水冲洗或者用湿抹布擦拭,就会失去防静电功能。
    普通型(迁移)抗静电与永久性抗静电的区别
    1.普通抗静电分子结构和特征基团性质
        普通抗静电剂的效果首先取决于它作为表面活性剂的基本特性――表面活性。表面活性与分子中亲水基种类、憎水基种类、分子的形状、分子量大小等有关。当抗静电剂分子在相界面上作定向吸附时,就会降低相界面的自由能及水和塑料之间的临界接触角。这种吸附作用,与基体的性质有关,而且还与表面活性剂的性质有关。根据极性相似规则,表面活性剂分子的碳氢链部分倾向与高分子链段接触,极性基团部分倾向与空气中的水接触。高分子材料作为疏水材料,抗静电剂在其表面的主要作用就是形成规则的面向空气中的水的亲水吸附层。
        在空气湿度60%以上的情况下,亲水性好的抗静电剂会结合更多的水,使得聚合物表面吸附更多的水,离子电离的条件更充分,从而改善抗静电效果。通过质子置换,也能发生电荷转移。含有羟基或氨基的抗静电剂,可以通过氢键连成链状,形成抗静电效果。但在干燥的空气环境中,抗静电效果非常差。只有在相对湿度60%的环境中贮存一段时间之后,才表现出较佳的抗静电效果,而且受湿度的影响非常大。但是随着贮存时间的延长,其作用效果明显下降。
    2.永久性抗静电分子结构和特征基团性质
        永久性抗静电性能相对较好且稳定持久而被称为永久性抗静电剂。永久性抗静电剂与基础树脂之间以合金形式共混,均匀而细微地分散成线状或网状“导电通道”。基体高分子与亲水性聚合物(或其共聚物)组成的共混体系的结构状态发现,亲水性聚合物在特殊相容剂存在下,经较低的剪切力拉伸后,在基体高分子表面呈微细的筋状,即层状分散结构,而中心部分则接近球状分布。这种“蕊壳”结构中的亲水性聚合物的层状分散状态能有效地降低共混物表面电阻,并且具有永久抗静电性能。
        永久抗静电剂可分为聚醚型和离子型两类。聚醚型如PEG型,包括聚酰胺或聚酯酰胺的聚氧乙烯醚体系,甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯共聚物等;离子型是通过高分子化学反应将小分子盐类引入高分子侧基得到的,如季铵盐型和磺酸盐型。与低分子量的表面活性剂类抗静电剂相比,永久型抗静电剂具有抗静电性能持久,对空气的相对湿度依赖性小,对制品的表面性能影响小等优点。具有良好的永久性和及时性,并且能够在低湿度环境下也具有良好的抗静电效果。不过,永久性抗静电剂目前普遍存在添加量大(一般用量为15~25%),制品成本高,以及影响制品本体性能等问题,尚不可能完全取代普通抗静电剂。
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  • 永久抗静电剂与普通抗静电剂的区别?

       市场上的抗静电剂有:纳路特永久性抗静电剂,ACL抗静电剂,葆力孚抗静电剂和Colcoat永久抗静电剂。纳路特是耐水洗永久抗静电剂,即用水冲洗或者用湿抹布擦拭,不会失去防静电功能。其他品牌的永久抗静电剂都不耐水洗,用水冲洗或者用湿抹布擦拭,就会失去防静电功能。普通型(迁移)抗静电与永久性抗静电的区别1.普通抗静电分子结构和特征基团性质    普通抗静电剂

  • 【永久抗静电剂】抗静电剂的作用机理

    抗静电剂的作用机理根据电荷状态,永久性抗静电剂可分为阳离子型、阴离子型和非离子型 ,抗静电能力依次减小。环氧乙烷及其衍生物的共聚物研究较早,也是目前商品化的主要品种,已广泛应用的有:聚环氧乙烷(PEO) ,聚醚酯酰胺及聚醚酯酰亚胺(PEEA) 等。无论是外部涂敷法还是内部混炼法,高分子材料用抗静电剂的作用机理主要表现在两个方面:一是抗静电剂在材料表面形成导电性的连续膜,即能赋予制品表面具有一定吸湿

  • 功能高分子材料的特点

    功能高分子材料是20世纪60年代发展起来的新兴领域,是高分子材料渗透到电子、生物、能源等领域后涌现出的新材料。该类材料一般指在原有力学性能基础上,还具有化学反应活性、光敏性、导电性、催化性、生物相容性、药理性、选择分离性、能量转换性、磁性等功能的高分子及其复合材料。功能高分子材料的特点功能高分子材料一般是指具有传递、转换或贮存物质、能量和信息作用的高分子及其复合材料,或具体指原有力学性能的基础上,

  • 功能高分子材料发展应用

    1、光功能高分子材料光功能高分子材料是指能够对光吸收、储存、转化的一类高分子材料。其在材料领域中占有十分重要的地位,目前,这一类材料主要包括各种光稳定剂、感光材料、非线性光学材料、光学用塑料、光转换系统材料、光导材料和光致变色材料等。光功能高分子材料今后的发展方向主要集中在以下三个方面:①现代社会是信息社会,光导纤维是目前主要的通信器材,并且发展*。因此,今后应ZD开发低光损耗,长距离光传输的高

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