关于碳化硅脱硫喷嘴的几个事件

时间：2017-03-24

作者：高密市金利鑫达机械设备有限公司

1905年在陨石中发现碳化硅。

　　1907年碳化硅晶体发光二极管诞生。

　　1955年理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。

　　1958年在波士顿召开世界碳化硅会议进行学术交流。

　　1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。

　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。

　　碳化硅喷嘴的物理性质

　　碳化硅的折射率非常高，在普通光线下为2.6767~2.6480;在特殊光线下为2.6889~2.6930.各种晶型的碳化硅比重十分接近，一般为3.217.碳化硅砂的堆积密度为1.2~1.6g/cm3之间波动，取决于粒度型号、粒度组成和颗粒形状。耐火材料用碳化硅砂还测定其摇实密度，整xing后的8#以下通料的摇实密度可达2.1~2.4g/cm3.

　　碳化硅的莫氏硬度为9.2.黑SiC与绿SiC的硬度无论在常温下还是高温下都基本相同，没有本质上的差别。

　　碳化硅的膨胀系数不大，以下为测定结果。在25~1400℃范围内，碳化硅平均热膨胀系数可取4.4×10（-6℃-1）。

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碳化硅脱硫喷嘴的流量要合理选择
由于脱硫喷嘴的流量影响着脱硫系统的经济性，所以我们要合理选择喷嘴的流量。在给定的吸收塔中，选用流量大的脱硫喷嘴可以减少所需喷嘴的总数，从而降低系统的造价，大流量脱硫喷嘴的限制少且防堵塞性能好，这样可有效地节约运行和维护费用。但选用大流量脱硫喷嘴也有所牺牲，其液滴尺寸要增大，所以不同喷嘴可接受的大流量度受到这种喷嘴雾化效果的限制。湿法脱硫中的喷嘴的流量一般约在50m/h左右。因此，对于脱硫喷嘴