**:5kHz电光调Q电源增加压电振铃效应抑制功能! 电光调Q开关是利用晶体的电光效应制成的Q开关。电光调Q开关的开关速度快、器件的效率高等优点!但是正是由于较高的开关速度,在调Q器件两端都会形成压电振铃效应,这一效应增大了调Q开关的热损耗。 ? 压电振铃效应:调Q驱动器通过导线和晶体连接,连接导线等效为一个谐振电感L,晶体等效为一个谐振电容C,如图1所示;电光调Q过程是一个高压窄脉冲过程,高压脉冲通过傅里叶分析,可以看出射频含量较高,这些射频分量在由等效谐振电感和等效谐振电容组成的谐振腔中形成高频振荡,形成压电振铃效应,如图2所示。该效应增大了调Q晶体的输出损耗,限制了晶体在高重频工作情况下的使用。
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AIKS较新隆重推出0-80V高精度可调高压电源 AIKS研究人员经过反复的研发和测试,成功的开发出适用静电纺丝,高压静电除尘,高压X射线发射器等的高精度可调高压电源。 ? 该电源采用了全桥软开关技术,使得电源效率大大提高;公司成功克服高功率密度下的绝缘散热问题,将电源体积大大减小,同时电源允许在**满负荷的情况下24小时工作。该产品输出的较大电压可达80kv,电压80kv时电流可达到6.67
电光调Q驱动器已经成为系列产品 ??? 我公司研制的电光调Q驱动器已经成为系列产品,分别为100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在测试阶段。
图1 产品外观图 一、 概述 PID控制温度的参数、适应的温度范围有限,50~1300℃大温度范围的控制,一般采用多点曲线升温的方式,单一的PID参数容易引发高温段或者低温段的震荡现象,引发系统失调,损坏电热丝和热电偶,经过长期的实验调试,这里推出多参数PID控制电源,用于大温度范围的控制。PID控制电源人性化的在前面板引入较大输出功率限制调节旋钮,通过设定旋钮位置,保证了加热系统的安全;电源前
MOS管并联均流技术分析 IGBT管并联均流技术分析 BJT 管并联均流技术分析 普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联mos管的问题。并联mos管的两大问题,其一就是mos管的选型,其二就是mos管参数的筛选。 首先我们测试从某网店购买的IRF4
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