VPD-ICP-MS晶圆表面分析

时间：2023-05-30

VPD晶圆表面分析技术可以检测出任何晶片上可能存在的污染微粒，英格尔第三方实验室可以提供致命性污染源及其他器件缺陷检测。英格尔分析实验室将根据半导体分析技术确定良品率与污染相关性，帮助硅片企业完善产品体系与商业战备力。英格尔检测分析实验室一直以助力增强未来芯片技术为目的，**企业产业性能提高竞争力。

英格尔实验室*解释：为例的大小必须是**层金属半个节距的一半。半个节距是相邻金属条之间间距的一半。落于器件的关键部位并毁坏了器件功能的微粒被称为致命缺陷。致命缺陷还包括晶体缺陷和其他由工艺过程引入的问题。

英格尔分析实验室VPD-ICPMSMS特点：

1.高原子序数（High-Z）及低原子序数（Low-Z）元素可以在一次分析中得到所有结果；

2.对于晶圆倒角、特定区域或亲水性的*三代半导体晶圆都可以进行元素评估；

3. 对关注的各个元素，检出能力可以覆盖从常见的八寸晶圆E10的要求到十二寸晶圆E7的需求。

可以引起上述问题的污染物称为可移动离子污染物。它们是在材料中以离子形态存在的金属离子。而且，这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动性。也就是说，即便在器件通过了电性能测试并且运送出去，金属离子仍可在器件中移动从而造成器件失效。遗憾的是，能够在硅器件中引起这些问题的金属存在于绝大部分的化学物质中。英格尔检测称，在一个晶圆上，可移动污染物必须控制在10的十次方个原子每拼房厘米的范围内甚至更少。

自动化产业的发展提升了VPD晶圆表面离子分析技术的市场需求，英格尔分析实验室在庞大的设备体系被引入制造工艺的背景下，仍持续不断提升控制与探测技术。英格尔分析实验室表述，目前巨大的工艺危害与化学反应有着不可割离的因果关系。英格尔检测针对企业VPD晶圆表面离子分析需求，可提供一站式晶圆表面污染情况提供评估分析服务（全程数据可查，周期1-5工作日可电联4001829001）。

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