晶圆表面制备分析

时间：2023-06-08

在半导体行业内，成功生产出表面平整的晶圆并不意味着VPD晶圆制备流程的完结。晶圆之后的加工与表面分析，是影响产品正常运作的关键环节。英格尔*组表示，化学式机械抛光是当前大直径晶圆制造技术之一。英格尔检测可帮助企业完善晶圆制造工艺，利用化学机械平坦化技术，解决新层平面问题。

（1）英格尔检测分析——化学机械抛光

较终的抛光步骤是一个化学腐蚀和机械摩擦的结合，被称为化学机械抛光。晶圆装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转。抛光垫材料通常是有填充物的聚亚安酯铸件切片或聚氨酯涂层的无纺布。二氧化硅抛光液在适度含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上。

碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。抛光垫以持续的机械摩擦作用去除氧化物，晶圆表面的高点被去除掉，直到获得特别平整的平面。

英格尔*假设：如果一个半导体晶圆的表面扩大到10000英尺，在总长度中将会有正负2英寸的平整度偏差。获得较好平整度需要规定和控制抛光时间、晶圆和抛光垫上的压力、旋转速度、抛光液颗粒尺寸、抛光液流速、抛光液的pH值、抛光垫材料和条件。

（2）英格尔检测分析——背面处理

对于晶圆制造来说在很多情况下，只是晶圆的正面经过充分的化学机械抛光。背面留下从粗糙或腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的使用，背面可能会受到特殊的处理导致晶体缺陷，称为背损伤。背损伤产生位错的生长辐射进入晶圆，这些位错现象是陷阱，俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染。

不论是俘虏吸杂现象，还是双面抛光技术。对于VPD晶圆制备企业而言，英格尔检测可提供一站式VPD晶圆表面分析技术，如背面喷沙标准技术、背面多晶层或氮化硅的沉积等。不过在这些应用技术中后期需使用无划伤与不污染背面操作。详情可点击英格尔检测官方网站，进行*一对*上咨询。

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