微电子器件VPD-ICP-MS

时间：2023-06-15

微电子器件以及硅晶圆金属分析能力，不仅是当前VPD半导体行业发展的“助力器”，还是协助行业进阶的重要技术。英格尔检测作为优秀的第三方检测机构，拥有完善的晶圆金属表面分析体系与先进的半导体检测仪器。在日常检测中，英格尔不仅会对企业展开内部技术支持，还会制定专业的分析体系，达到加速国内半导体行业发展的目的。

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英格尔检测*认为，晶圆金属污染监测是一个非常重要的研究课题，因为金属污染会对昂贵而复杂的微电子工艺流程产生重大影响。目前各研究机构在仪器类型、专业知识和个人能力上各有所长，英格尔检测可针对晶圆交换可行性进行有益探索。

VPD-ICP-MS晶圆倒角分析——英格尔检测

近年来，硅晶圆的倒角污染已成为行业挑战，对科研机构来说也是一个日益严重的问题。实际上为了增加晶圆上器件的密度，需要将芯片放置在更靠近晶圆边缘的位置以减少表面浪费。此外，晶圆越来越多地通过倒角的物理接触进行加工，因此将来需要针对晶圆这一特殊位置进行精确监测。

英格尔可通过VPD-ICP-MS在裸硅晶圆上进行倒角区域分析。TXRF分析倒角区域是无法实现的，因为TXRF对接触面的平整度很敏感，无法测定倒角弯曲处的金属污染。倒角处金属污染物的收集是关键点。

不同VPD倒角收集技术

VPD用于倒角收集的技术路线以及由此产生的不同细节，VPD-ICP-MS倒角区域测定结果也存在差异。

VPD-ICP-MS的检测下限比较（倒角）

针对晶圆表面污染问题英格尔将展开全面分析，首先需要选定相关仪器或工具来进行裸硅晶圆生成，但在这种情况下晶圆表面可能受到特定污染几率。因此英格尔检测将通过特定步骤抓取系统污染具体信息，进行正面分析制定解决方案。英格尔微电子器件VPD-ICP-MS晶圆表面污染分析机构，拥有专业可靠的分析技术可为企业提供准确的有效的综合数据。

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词条
词条说明
vpd硅晶圆金属污染英格尔监测
当前国内市场中vpd晶圆金属污染分析技术的掌握，对于整个行业而言十分重要。如何在摆脱国外技术依赖的同时，为企业提供完善准确的分析数据与服务。英格尔检测深耕硅晶圆金属分析行业多年，常用的表面污染分析监测技术有VPD-ICP-MS与TXRF。英格尔通过数据整合，将展示国内外相关的的硅晶圆金属污染监测能力和方案。英格尔硅晶圆金属污染监测常用的分析技术是和VPD-ICP-MS。英格尔根据仪器类型、分析方法
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