可控硅的作用介绍及检测方法

时间：2025-04-09

作者：昆山奇沃电子有限公司

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【整流桥模块厂家】测试可控硅模块的升温3个方法
可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要我们了解测试可控硅模块的升温方法：1、可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。2、可控硅模块温升按下式计算：式中：Δt--可控硅模块的温升，℃。
熔断器供应商告诉你主要作用是什么？
熔断器俗称保险丝或保险管。最早的保险丝于一百多年前由爱迪生发明，由于当时的工业技术不发达白炽灯很贵重，所以，最初是将它用保险丝来保护价格昂贵的白炽灯的。熔断器保护电子设备不受过电流的伤害，也可避免电子设备因内部故障所引起的严重伤害。因此，每个熔断器上皆有额定规格，当电流超过额定规格时保险丝将会熔断。当介于常规不熔断电流与相关标准规定的额定分断能力(的电流)之间的电流作用于熔断器时，熔断器应能满意地
可控硅坏的原因及维护方法
可控硅坏的原因：1、电压击穿可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有
【英飞凌IGBT销售】IGBT工作特性
静态特性IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做