1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制较G三个引出脚。双向可控硅有**阳极A1(T1),*二阳极A2(T2)、控制较G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制较G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制较G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 双向可控硅**阳极A1与*二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制较G和**阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当**阳极A1、*二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制较G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制较G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为**阳极A1和控制较G,另一空脚即为*二阳极A2。确定A1、G较后,再仔细测量A1、G较间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为**阳极A1,红表笔所接引脚为控制较G。将黑表笔接已确定的*二阳极A2,红表笔接**阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G较瞬间短接,给G较加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接*二阳极A2,黑表笔接**阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G较间再次瞬间短接,给G较加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G较间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。
符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法: 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制较和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制较。
可控硅,英文名称为Silicon Controlled RecTIfier,简写为SCR,是可控硅整流元件的简称,有时也将其称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件,具有体积小、结构简单、功能强、抗高压的特点,现已广泛应用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设备中。
可控硅的作用一:可控整流作用
可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅较基本也较重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。
在一个较基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制较外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制较上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。
可控硅的作用二:用作无触点开关
可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
可控硅的作用三:开关和调压作用
可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双较型晶体管,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优
熔断器(fuse)是指当电流**过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种电器。熔断器是根据电流**过规定值一段时间后,以其自身产生的热量使熔体熔化,从而使电路断开;运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中,作为短路和过电流的保护器,是应用较普遍的保护器件之一。工作原理利用金属导体作为熔体串联于电路中,
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