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Nano-Master的远程微波等离子体化学气相沉积（PECVD）系统应用范围广泛，包含：基片或粉体的等离子诱导表面改性等离子清洗粉体或颗粒表面等离子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的选择性生长单晶或多晶金刚石生长 微波模块：NANO-MASTER高质量**命远程微波源，频率为2.45GH，微波发射功率可以自主调节，微波反射功率可通过调节降

PECVD设备,等离子体化学气相沉积系统

近日，NANO-MASTER工程师至浙江ZN硅业有限公司，顺利安装验收NPE-3500型PECVD等离子体化学气相沉积设备！NANO-MASTER的PECVD系统能够沉积高质量的SiO2、Si3N4、CNT、DLC和SiC等薄膜。可应用于等离子诱导表面改性、等离子清洗、等离子聚合等。根据不同应用，可选用RF、HCP、ICP或MW微波等多种规格的离子源。标准样品台尺寸有6”和8”可选，较高可定制到1

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金刚石是一种典型的多功能限材料，在电学、光学、热学、力学声学和电化学方面具有优异性能，在众多GAO*XIN*技术领域具有广阔的应用前景。20世纪80年代之后，化学气相沉积（CVD）技术制备金刚石涂层促进了其广泛的应用，引发了席卷的“金刚石热”。90年代后，随着金刚石涂层工业化制备技术的出现，金刚石涂层产业开萌生。金刚石涂层工具、金刚石热沉、金刚石光学窗口、金刚石膜基探测器及传感器和金刚石电等一系列

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世界范围的信息化浪潮正带来**网络化、国家数字化、社会智能化的整体转变，5G、人工智能、大数据和云计算等先进技术的诞生和蓬勃发展，以及向生产生活各层面的深度渗透，更加速推动信息时代的快速发展。在世界数字化汹涌前行的背后，是硅基半导体芯片能的持续飞速提升，提供了存储、运算、网络、智能的多维度底层支撑，为数字升级、智能互联打造了坚实的硬件基础。但随着芯片制造工艺在纳米尺度逐渐逼近物理极限，硅基半导体芯

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等离子体化学气相沉积设备有两种:其一是PCVD(等离子体一般化学气相沉积)，另一个是PECVD(等离子体增强化学气相沉积)，它们都是在20世纪70年代发展起来的镀膜工艺。其特点是:1、在不同基片上制备各种金属膜、**物聚合膜、非晶态无机物膜;2、等离子体清洗基材，使膜层的附着力增加;3、可制备厚膜，内应力小、致密性好、针孔小、膜层成分均匀、不易产生微裂纹;4、低温成膜，温度对基材没什么影响，避免了

化学气相沉积（CVD）设备

中国化学气相沉积（CVD）设备行业发展战略规划及投资方向研究报告2023-2028年 *$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$%*$% 【报告编号】: 213919 【出版机构】: 【北京中研信息研究所】 【出版日期】: 【2022年10月】 【报告价格】: 【纸质版:6500元】 【电子版:6800元】 【双

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2022年8月15日-18日，2022十七届全国MOCVD学术会议选择在中国·太原·湖滨国*际大酒店举行。金属**化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取*得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其**结构，较*大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体**晶格、**阱、**线、**点结构材料及相

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材料的输运采取了**纯的气路系统，源的切换和输入采用了多路组合阀进气技术。由于组合阀具有较小的死空间，使得源的残留量非常少，有利于生长具有陡峭界面的材料。采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力，大大降低了源的压力和浓度波动，有利于材料生长的重复性和稳定性。采用了管道镶嵌式进气喷头，使反应源在衬底表面均匀混合并反应，大大降低了预反应的发生。采用电阻式快速升降温加热炉。

半导体化学气相沉积设备

**及中国半导体化学气相沉积设备现状动态及应用规模报告2022-2027年###############################《报告编号》: BG423880《出版时间》: 2022年4月《出版机构》: 中智正业研究院《交付方式》: EMIL电子版或特快专递 《报告价格》:【纸质版】: 6500元 【电子版】: 6800元 【纸质+电子】: 7000元 &

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LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。小型管式LPCVD设备设备结构及特点1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4