离子源,射频离子源

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。 本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻

离子源,射频离子源

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, lo

离子源,射频离子源

上海伯东某客户在热蒸发镀膜机中配置美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40, 进行镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等.离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD考夫曼离子源 KDC 40 到基片距离控制在 3

离子源,射频离子源

上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！KRi 离子源预清洁可以实现去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污

离子源,射频离子源

上海伯东美国 KRi 考夫曼 RF 射频离子源, 灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用通常安装两个离子源主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性

离子源,射频离子源

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. e-beam 电子束蒸

离子源,射频离子源

上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 σ）达到 1%. 可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 导体等.离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其部件为大面积离子源. 作为蚀刻机的部件,

离子源,射频离子源

立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力. 在对立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金属研究所采用

离子源,射频离子源

硅薄膜作为薄膜太阳能电池的材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点. 采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数控制, 因此经过

离子源,射频离子源

合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。 北京某大学实验室在对硬韧 ZrAlN 薄膜及薄膜力学性能研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

离子源,射频离子源

舞台灯光虽然呈现是五颜六色的, 但光源一般都是白色. 通过在光源前加上特定的光学滤光片, 对光进行“加工”, 反射和透过特定的波段, 来达到不同的色彩变化. 加上颜色滤光片, 让不同颜色的镜片不停切换, 产生不同颜色. 而在光学元件或立基板上, 镀上或涂布一层或多层介电质膜

离子源,射频离子源

红外截止滤光片 (IRCF) 是利用精密光学镀膜技术在光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 实现可见光区（400nm-630nm）高透, 近红外（700nm-1100nm）截止的光学滤光片, 主要应用于可拍照手机摄像头、电脑内置摄像头、汽车摄像头和安防摄像头等数码成像领域, 用于红外光线对 CCD/CM

离子源,射频离子源

1064nm 窄带滤光片是在各类玻璃材质表面通过特殊的镀膜工艺而形成的光学元件, 可以从入射光中选取任意所需求的波长, 半峰值一般在 5nm~50nm之间, 具有波长定位准确、透过高、截止深、温漂小、性好、光洁度好的特点, 是激光设备应用中常见的滤光片解决方案. 1064nm 窄带滤光片使用在

离子源,射频离子源

紫外滤光片是一种光学元件, 通过使用分散在玻璃材料表面的光学薄膜控制入射光通过膜层后不同波长光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一个波段, 因为其生物体透过率低, 被誉为对人体的紫外线.222nm远紫外产品一定程度上解决了传统紫外线不能直接照射人体的痛点问题, 兼顾了功能性和性, 实现了人机友好共存, 有效减少和灭杀身体表面多达99.9%的细

离子源,射频离子源

离子束抛光适用于大面积、异型、特殊材料等加工对象的非接触式修形及抛光, 精度可达亚纳米级, 被誉为抛光. 离子束抛光机的部件是可聚焦的高能量离子源. 上海伯东某客户为精密光学元器件设备制造商, 主要产品为离子束抛光机、磁流变抛光机等, 提供精密光学工艺制造研发服务, 是一家精密光学元器件解

离子源,射频离子源

在没有真空的情况下，可再生能源的发展是不可能的。以光伏发电（Photovoltaics，PV）为例，这是一种为大家所熟知的能源转化方式，通过太阳能电池将太阳辐射能转化为电子流，进而生成电能。 太阳能电池技术有许多种类，其中一种主要的技术是基于薄膜沉积。这种方法的主要优点在于，它在制造太阳能电池时消耗的材料较

离子源,射频离子源

带通滤光片也叫干涉滤光片, 主要起到过滤不想要的杂光, 只让想要的光通过的作用. 385nm 紫外带通滤光片是带通滤光片中一款 UV 紫外波段的滤光片, 广泛应用于荧光检测, 多波段滤光片. 它具有高透过率, 其深截止可保探测器接收不到其它波长的光, 因此可保证图像的高亮度和大的信噪比.

离子源,射频离子源

HUD 已经成为一种常见的汽车配置与功能, 通过它来直观显示速度、发动机转速或其他悬停在驾驶员视野中的信息, 减少因低头查看仪表盘而造成的分心, 提升驾驶. 目前量产的车用抬头显示 HUD 正在从风挡型 W-HUD 逐渐向增强现实型的 AR-HUD 发展：从单纯的信息展示屏幕,

离子源,射频离子源

黑膜镀制, 是指将入射到材料表面的光线, 包括紫外光、可见光、近红外光以及中远红外波段的光, 几乎全部吸收而基本没有反射的表面处理技术. 高的吸收率使黑膜有着广阔的应用前景. 如可在精密光学仪器和光学零件、医疗仪器、航空航天、外观装饰品等产品上得到广泛使用, 可大幅度提高产

离子源,射频离子源

红外光学薄膜器件作为红外系统重要组成部分, 已广泛应用于航空航天、、环保、分析仪器等各个领域. 在红外光学应用中, 由于锗在2～14μm红外波段内有高而均匀的透过率, 是一种的优良红外光学材料. 锗单晶切片加工成的锗透镜及锗窗和利用锗单晶透过红外波长特性制成的各种红外光学部件广泛用于各类红外光学系统. &nbs

中国无栅端霍尔离子源

******************************************************[报告编号] 516715[出版日期] 2023年12月[出版机构] 产业经济研究院 [交付方式] 电子版或特快专递[价格] 纸质版:650 电子版:680 纸质版+电子版:700 [客服专员] 李军 1 无栅端霍尔离子源市场概述1.1 产品定义及统计范围1.2

离子热泵

池州离子热泵/厂房空气源热泵供暖设备安装公司 水源热泵是利用了地球水体所储藏的太阳能资源作为热源，利用地球水体自然散热后的低温水作为冷源，进行能量转换的供暖空调系统.其中可以利用的水体，包括地下水或河流、地表的部分的河流和湖泊以及海洋、地表土壤和水体不仅是一个巨大的太阳能集热器，比人类每年利用能量的500倍还多,而且是一个巨大的动态能量平衡系统，地表的土壤和水体自然地保持能量接受和发散的相对的均

离子源控制系统

项目介绍 随着重离子物理、原子物理等基础科学的研究的深入及其在工业领域中的应用和发展，对离子束的束流指标要求越来越高，这便对离子源提出了更高的要求。 ECR离 子源是当前国际上公认的能够提供强流高电荷态离子较有效的工具，是国际离子源发展的焦点和热点，世界各着名实验室都投入了相当大的人力和物力来发展这种离 子源。ECR 离子源系统中，控制设备端口信号复杂庞大，分布不集中，在有强磁场，大电流的环境下